onsemi NXH010P90MNF1 SiCモジュール
onsemi NXH010P90MNF1 SiCモジュールには、10Mohm 900V SiC MOSFETハーフブリッジおよびF1モジュールに収められたNTCサーミスタが搭載されています。このモジュールの推奨ゲート電圧は15V~18Vです。NXH010P90MNF1には、より高い電圧、および低熱抵抗でのR
DS (ON) が改善されています。
特徴
- 推奨ゲート電圧:15V〜18V
- さらに高い電圧での改善されたRDS (ON)
- 低い熱抵抗
- 効率性の向上またはさらに高い電力密度を実現
- TIM有またはTIM無のオプション
- 信頼性の高い熱インターフェイスを実現する柔軟性に富んだソリューション
アプリケーション
- AC/DC変換
- 電気自動車の充電システム
- DC/AC変換
- エネルギー貯蔵システム
- DC/DC変換
- ソーラーインバーター3相
- 無停電電源装置(UPS)
EliteSiCについて
ソーラーインバータや電気自動車充電器のような要求の厳しいアプリケーションのニーズに対処できます。
公開: 2022-05-11
| 更新済み: 2024-06-18