onsemi NXH010P90MNF1 SiCモジュール

onsemi NXH010P90MNF1 SiCモジュールには、10Mohm 900V SiC MOSFETハーフブリッジおよびF1モジュールに収められたNTCサーミスタが搭載されています。このモジュールの推奨ゲート電圧は15V~18Vです。NXH010P90MNF1には、より高い電圧、および低熱抵抗でのRDS (ON) が改善されています。

特徴

  • 推奨ゲート電圧:15V〜18V
  • さらに高い電圧での改善されたRDS (ON)
  • 低い熱抵抗
  • 効率性の向上またはさらに高い電力密度を実現
  • TIM有またはTIM無のオプション
  • 信頼性の高い熱インターフェイスを実現する柔軟性に富んだソリューション

アプリケーション

  • AC/DC変換
  • 電気自動車の充電システム
  • DC/AC変換
  • エネルギー貯蔵システム
  • DC/DC変換
  • ソーラーインバーター3相
  • 無停電電源装置(UPS)
公開: 2022-05-11 | 更新済み: 2024-06-18