onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFET
onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC MOSFETは、フルブリッジとサーミスタを搭載したパワーモジュールで、F1パッケージに格納されています。これらのMOSFETは、サーミスタと圧入ピンが特徴です。NXH0x0F120MNF1モジュールは、熱界面材料 (TIM) の事前塗布あり、またはTIMの事前塗布なしから選択できます。これらのモジュールは、ソーラー・インバータ、無停電電源装置 (UPS)、電気自動車充電ステーション、産業用電源などの用途に最適です。NXH0x0F120MNF1モジュールは、鉛フリー、ハロゲン・フリー、RoHSに準拠しています。これらのモジュールの保存温度範囲は-40°C～150°C、動作接合部温度範囲は-40°C～175°Cです。
特徴
- 40m/1200V SiC MOSFETハーフブリッジ（NXH040F120MNF1）
- 20m/1200V SiC MOSFETハーフブリッジ（NXH020F120MNF1）
- サーミスタ
- Press-fitピン
- 熱インターフェイス素材（TIM）が事前に適用されている場合とTIMが事前に適用されていない場合のオプション
- デバイスは無鉛、ハロゲンフリーでRoHSに準拠したデバイス
仕様
- 保管温度範囲：-40°C～150°C
- 最低動作ジャンクション温度：-40°C
- 最大接合部動作温度：175°C
- モジュール動作接合部温度：-40°C～175°C
アプリケーション
- ソーラーインバータ
- 無停電電源装置
- 電気自動車充電ステーション
- 産業用電源
スキーム図
EliteSiCについて
View Results ( 6 ) Page
| 部品番号 | Mfr名 | 説明 | データシート |
|---|---|---|---|
| NXH007F120M3F2PTHG | onsemi | MOSFETモジュール 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE |  |
| NXH011F120M3F2PTHG | onsemi | MOSFETモジュール 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE | |
| NXH020F120MNF1PTG | onsemi | MOSFETモジュール SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET with TIM | |
| NXH040F120MNF1PTG | onsemi | MOSFETモジュール SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET with TIM | |
| NXH020F120MNF1PG | onsemi | MOSFETモジュール SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET | |
| NXH040F120MNF1PG | onsemi | MOSFETモジュール SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET | |
公開: 2022-04-07
| 更新済み: 2024-06-18