onsemi NXH240B120H3Q1x1G Si/SiCハイブリッドモジュール
Onsemi NXH240B120H3Q1x1GSi/SiC ハイブリッド パワー統合モジュール (PIM) には、3 チャネル1200VIGBT + SiC 昇圧モジュールと NTC サーミスタが搭載されています。各チャンネルは、高速スイッチング80A IGBT、30A SiCダイオード、バイパスダイオード、IGBT保護ダイオードで構成されています。 統合フィールドストップトレンチIGBTおよびSiCダイオードは、より低い導通損失とスイッチング損失を実現しており、高い効率性と優れた信頼性を実現しています。
特徴
- 1200VウルトラフィールドストップIGBT
- 低逆回復と高速スイッチングSiCダイオード
- 低誘導レイアウト
- プレスフィットピン/ハンダピン
- サーミスタ
アプリケーション
- ソーラーインバータ
- 環境ストレススクリーニング（ESS）
仕様
- IGBT（T11、T21、T31）
- 最高コレクタ－エミッタ電圧：1200V
- 最高ゲート－エミッタ電圧：±20V
- 最大連続コレクタ電流：92A
- 最大パルスコレクタ電流: 276A
- 最大電力損失: 266W
- 保護ダイオード（D11、D21、D31）
- 最高ピーク反復逆方向電圧: 1200V
- 最大連続順方向電流: 41A
- 最大繰り返しピーク順方向電流: 123A
- 最大電力損失: 54W
- 最大絶縁テスト電圧：3000VRMS
- 最長沿面距離: 12.7mm
- シリコンカーバイドブーストダイオード（D12、D22、D32）
- 最高ピーク反復逆方向電圧: 1200V
- 最大連続順方向電流: 37A
- 最大繰り返しピーク順方向電流: 111A
- 最大電力損失: 99W
- バイパスダイオード（D13、D23、D33）
- 最高ピーク反復逆方向電圧: 1200V
- 最大連続順方向電流: 54A
- 最大反復ピーク順方向電流: 162A
- 最大電力損失: 64W
- 動作温度範囲：-40°C〜+150°V
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公開: 2024-01-26
| 更新済み: 2024-06-18