onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETは、高性能な650V シリコンカーバイド(SiC)です。標準RDS(on) 23mΩ、および熱特性とスイッチング特性に優れています。これらのMOSFETは、低実効出力容量、高効率、高速スイッチング速度、超低ゲート電荷が特長です。NxT2023N065M3S MOSFETは、最大連続ドレイン電流72Aまで対応しており、幅広い温度範囲-55°C~175°Cで動作します。これらのMOSFETは、RoHS準拠、ハロゲンフリー、コンパクトなT2PAK-7Lパッケージに封止されています。AEC-Q101規格に適合しており、EV/HEVプラットフォームのオンボードチャージャーや DC-DCコンバータなどの車載グレードのアプリケーションに最適です。SMPS、ソーラーインバータ、UPS、エネルギーストレージ、EV充電インフラに適しています。特徴
- 標準 RDS(on) = 23mΩ @ VGS = 18V
- 低実効出力容量
- 超低ゲート充電
- AEC-Q101規格に適合
- 100% UIS試験済
- ハロゲンフリー、およびRoHS指令の適用除外項目7aに適合
- 鉛フリー 2LI(二次接続部)
- T2PAK-7L (ケース763ACパッケージ)
アプリケーション
- NTT2023N065M3S:
- 次のような産業用アプリケーション向けの設計:
- スイッチモード電源(SMPS)
- ソーラーインバータ
- 無停電電源装置 (UPS)
- エネルギーストレージ
- EV充電インフラ
- 次のような産業用アプリケーション向けの設計:
- NVT2023N065M3S:
- 車載認定 (AEC-Q101に準拠):
- オンボードおよびオフボードEVチャージャー
- 車載用EV/HEVシステム用DC-DCコンバータ
- 車載認定 (AEC-Q101に準拠):
仕様
- ドレイン-ソース間電圧:650V
- ゲート-ソース電圧:-8V/+ 22V
- 連続ドレイン電流:72A(25°C)、53A(100°C)
- 電力損失:TC=25°Cで288W
- 174Aパルス・ドレイン電流
- 熱抵抗 (RJC):0.52°C/W
- 超低ゲート充電:74nC
- ターンオン遅延:24ns、ターンオフ遅延:50ns(25°C)
- ターンオン/ オフ低スイッチング損失:EON = 98µJ、EOFF = 29µJ
- -55°C~+175°Cという広範な動作温度範囲
回路図
寸法図
データシート
公開: 2025-10-30
| 更新済み: 2025-12-04
