onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETは、高性能な650V シリコンカーバイド(SiC)です。標準RDS(on) 23mΩ、および熱特性とスイッチング特性に優れています。これらのMOSFETは、低実効出力容量、高効率、高速スイッチング速度、超低ゲート電荷が特長です。NxT2023N065M3S MOSFETは、最大連続ドレイン電流72Aまで対応しており、幅広い温度範囲-55°C~175°Cで動作します。これらのMOSFETは、RoHS準拠、ハロゲンフリー、コンパクトなT2PAK-7Lパッケージに封止されています。AEC-Q101規格に適合しており、EV/HEVプラットフォームのオンボードチャージャーや DC-DCコンバータなどの車載グレードのアプリケーションに最適です。SMPS、ソーラーインバータ、UPS、エネルギーストレージ、EV充電インフラに適しています。

特徴

  • 標準 RDS(on) = 23mΩ @ VGS = 18V
  • 低実効出力容量
  • 超低ゲート充電
  • AEC-Q101規格に適合
  • 100% UIS試験済
  • ハロゲンフリー、およびRoHS指令の適用除外項目7aに適合
  • 鉛フリー 2LI(二次接続部)
  • T2PAK-7L (ケース763ACパッケージ)

アプリケーション

  • NTT2023N065M3S:
    • 次のような産業用アプリケーション向けの設計:
      • スイッチモード電源(SMPS)
      • ソーラーインバータ
      • 無停電電源装置 (UPS)
      • エネルギーストレージ
      • EV充電インフラ
  • NVT2023N065M3S:
    • 車載認定 (AEC-Q101に準拠):
      • オンボードおよびオフボードEVチャージャー
      • 車載用EV/HEVシステム用DC-DCコンバータ

仕様

  • ドレイン-ソース間電圧:650V
  • ゲート-ソース電圧:-8V/+ 22V
  • 連続ドレイン電流:72A(25°C)、53A(100°C)
  • 電力損失:TC=25°Cで288W
  • 174Aパルス・ドレイン電流
  • 熱抵抗 (RJC):0.52°C/W
  • 超低ゲート充電:74nC
  • ターンオン遅延:24ns、ターンオフ遅延:50ns(25°C)
  • ターンオン/ オフ低スイッチング損失:EON = 98µJ、EOFF = 29µJ
  • -55°C~+175°Cという広範な動作温度範囲

回路図

アプリケーション回路図 - onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET

寸法図

機械図面 - onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
公開: 2025-10-30 | 更新済み: 2025-12-04