Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタは、7W（P3dB）,50Ω入力整合型ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）高電子移動度トランジスタ（HEMT）で、50V電源レール上で30MHz～1.2GHzの範囲で動作します。統合された入力整合ネットワークは、広帯域のゲインと電力性能を実現し、出力はオンボードでマッチング可能で、帯域内の任意の領域において電力と効率を最適化します。Qorvo QPD1011Aトランジスタは、6mmx5mmx0.85mmのリードレスSMTパッケージに収められており、スペースに制約のある携帯無線機のスペースを節約します。
特徴
- 7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリートGaN on SiC HEMT
- 50V電源レール上で30MHz～1.2GHzまで動作
- 統合入力整合ネットワーク
- 低熱抵抗パッケージ
- CWおよびパルス能力
- 表面実装、6mm x 5mm x 0.85mm DFNパッケージ
- SVHCフリー、PFOSフリー
- 無鉛、ハロゲン/アンチモンフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- 防衛用レーダー
- 民間用レーダー
- 陸上移動および軍事無線通信
- 試験装置
- 広帯域または狭帯域アンプ
- 妨害器
仕様
- 最大破壊電圧：+145V
- 最大ドレイン電流：1.46A
- ドレイン電圧範囲：12V～55V
- ドレインバイアス電流：20mA（標準）
- 最大ゲート電圧範囲：-7V～+2V、-2.8V（標準）
- 最大アイドルゲート電流：3.6mA
- 最大電力損失：1４.7W、最大動作：10W
- 最大RF入力電力：27dBm
- 周波数範囲：0.6GHz ～ 1.2GHz（標準）
- リニアゲイン範囲
- 電力調整：18.7dB ～ 21.3dB
- 効率調整：20.9dB ～ 22.5dB
- 出力電力範囲（3dB圧縮時）
- 電力調整：39.1dBm ～ 39.7dBm
- 効率調整：37.3dBm ～ 38.4dBm
- 電力付加効率範囲（3dB圧縮時）
- 電力調整：49.1% ～ 59.4%
- 効率調整：55.4% ～ 71.6%
- ゲイン範囲（3dB圧縮時）
- 電力調整：15.7dB ～ 18.3dB
- 効率調整：17.9dB ～ 19.5dB
- 最大取り付け温度：320°C（30秒間）
- 動作温度範囲: -40°C～+85°C
- +250°C最高チャンネル温度
- 湿度感度レベル（MSL）3
- ESD定格（ANSI/ESD/JEDEC JS-001）
- 250V人体モデル (HBM)
- 1000V 帯電デバイスモデル（CDM）
機能ブロック図
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公開: 2026-01-13
| 更新済み: 2026-01-19