Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
Qorvo QPD1014AGaN入力整合トランジスタは、15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）高電子移動度トランジスタ（HEMT）で、50V電源レール上で30MHz～1.2GHzの範囲で動作します。統合された入力整合ネットワークは、広帯域のゲインと電力性能を実現し、出力はオンボードでマッチング可能で、帯域内の任意の領域において電力と効率を最適化します。Qorvo QPD1014Aトランジスタは、6mmx5mmx0.85mmのリードレスSMTパッケージに収められており、スペースに制約のある携帯無線機のスペースを節約します。
特徴
- 15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMT
- 50V電源レール上で30MHz～1.2GHzまで動作
- 統合入力整合ネットワーク
- 低熱抵抗パッケージ
- CWおよびパルス能力
- 表面実装、6mm x 5mm x 0.85mm DFNパッケージ
- SVHCフリー、PFOSフリー
- 無鉛、ハロゲン/アンチモンフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- 基地局
- アクティブアンテナ
- 防衛用レーダー
- 民間用レーダー
- 陸上移動通信及び無線通信
- 妨害器
仕様
- 最大破壊電圧：+145V
- 最大ドレイン電流：1A
- ドレイン電圧範囲：12V～55V
- ドレインバイアス電流：20mA（標準）
- 最大ゲート電圧範囲：-8V～+2V、-2.8V（標準）
- 最大アイドルゲート電流：3.6mA
- 最大電力損失：15.8W、最大動作：14.4W
- 最大RF入力電力：31dBm
- 周波数範囲：0.6GHz ～ 1.2GHz（標準）
- リニアゲイン範囲
- 電力調整：20.1dB ～ 21.5dB
- 効率調整：21.2dB ～ 23.0dB
- 出力電力範囲（3dB圧縮時）
- 電力調整：41.9dBm ～ 42.7dBm
- 効率調整：39.0dBm ～ 41.2dBm
- 電力付加効率範囲（3dB圧縮時）
- 電力調整：60.0%～65.0%
- 効率調整：70.4% ～ 79.2%
- ゲイン範囲（3dB圧縮時）
- 電力調整：17.1dB ～ 18.5dB
- 効率調整：18.2dB ～ 20.0dB
- 最大取り付け温度：320°C（30秒間）
- 動作温度範囲: -40°C～+85°C
- +250°C最高チャンネル温度
- 湿度感度レベル（MSL）3
- ESD定格（ANSI/ESD/JEDEC JS-001）
- 250V人体モデル (HBM)
- 1000V 帯電デバイスモデル（CDM）
機能ブロック図
開発ツール
Qorvo QPD1014AEVB評価ボード
100MHz～1GHz帯におけるデバイス特性評価と増幅器のプロトタイピングを高速化するために専用設計されました。
公開: 2026-01-13
| 更新済み: 2026-01-20