Renesas Electronics ISL78444 100VハーフブリッジMOSFETドライバ

Renesas Electronics ISL78444 100VハーフブリッジMOSFETドライバは、自動車グレード(AEC-Q100 Grade 1)高電圧、高周波数、ハーフブリッジNMOS FETドライバで、最高70Vハーフブリッジ・トポロジのゲートを駆動することを目的としています。ISL78444は、両方のゲート・ドライバを制御するための単一の3レベルPWM入力が特徴で、各ゲート・ドライバ用の単一ソーシング/シンク出力が組み合わされています。

強力なゲート駆動力と適応型デッドタイム(ADT)機能によって、ISL78444は、高動作周波数でのハーフブリッジ・トポロジで高電圧、低RDS(ON)パワーFETを切り替えることができるようになると同時に、シュートスルー保護とデッドタイムのスイッチング損失最小化を実現します。

ISL78444は、IPC-2221Bあたり100Vの導体間隔がある100Vコンダクタと組み合わされた14リードHTSSOPパッケージで販売されています。

特徴

  • 特許取得済のゲートセンス適応型デッドタイム制御は、シュートスルー保護および最小化されたデッドタイムを実現
  • Renesas多相コントローラとの統合を目的とした独自の3レベルPWM入力
  • 3Aソースおよび4Aシンク出力電流
  • オンチップ3ΩブートストラップFETスイッチ
  • シングル・レジスタを用いたプログラマブル・デッドタイム遅延
  • トライステートのPWM入力
  • ドライバ出力で別途ソース/シンクピン
  • ブートストラップおよびVDD低電圧ロックアウト(UVLO)
  • 広い供給範囲: 8V~18V
  • ブートストラップ供給最高電圧: 100V
  • 周囲温度範囲: -40°C~+140°C
  • 最高位相電圧: 86V
  • 最小位相電圧: -10V
  • パッケージ: HTSSOP-14

アプリケーション

  • 車載用ハーフブリッジおよび3相モータ・ドライバ
  • 12V~24Vおよび12V~48V双方向DC-DC(ISL78226、ISL78224コントローラ搭載)
  • 多相ブースト(ISL78220およびISL78225コントローラ搭載)

ブロック図

ブロック図 - Renesas Electronics ISL78444 100VハーフブリッジMOSFETドライバ
公開: 2018-12-14 | 更新済み: 2023-06-20