Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS)

Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS) は、650Vおよび110mΩノーマリオフ型窒化ガリウム (GaN) 双方向スイッチで、コンパクトなTOLTパッケージで供給されます。このBDSは、両方向の電流導通と電圧阻止を実現します。これは、高耐圧デプレションモードGaNと、低耐圧ノーマリオフ型シリコンMOSFETを組み合わせています。TP65B110HRU BDSは、SuperGaN^® Gen 1 双方向プラットフォームです。このBDSは、卓越した性能、標準のゲート駆動との互換性、容易な統合、堅牢な信頼性を提供します。TP65B110HRU BDSは、画期的な統合を実現しています。その結果、部品点数の削減、コスト削減、フットプリントの小型化につながります。このBDSは、超高速スイッチング、高効率、より高い電力密度が可能で、MHzクラスの動作や小型の磁性製品に最適です。主なアプリケーションは、ソーラーインバータ、AIインフラ、OBCオンボードチャージャ (OBC)、モータドライブ、AC/DCおよびDC/DCシングルステージ電力変換アーキテクチャなどです。