Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS)

ルネサス エレクトロニクス (Renesas Electronics) TP65B110HRU双方向スイッチ (BDS) は、650V、110mΩの通常オフ型窒化ガリウム (GaN) BDSで、コンパクトなTOLTパッケージに収められています。このBDSは、高電圧空乏型GaNと低電圧ノーマリーオフ型シリコンMOSFETを組み合わせることで、電流を流し、電圧を両方向に遮断します。TP65B110HRU BDS は、SuperGaN^® Gen 1双方向プラットフォームをベースとしています。このBDSは、優れた性能、標準的なゲートドライブの互換性、簡単な統合、堅牢な信頼性を提供します。TP65B110HRU BDSは、画期的な統合を実現し、コンポーネントの数を減らし、コストを削減し、フットプリントを小さくします。このBDSは、超高速スイッチング、高効率、高い電力密度を実現し、MHzクラスの動作とコンパクトな磁気部品に最適です。代表的なアプリケーションとしては、太陽光発電用インバーター、バッテリ充電器、AIデータセンターおよびテレコム電源、モータドライブ、UPSなどが挙げられます。