Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS)

Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS) は、650Vおよび110mΩノーマリオフ型窒化ガリウム (GaN) 双方向スイッチで、コンパクトなTOLTパッケージで供給されます。このBDSは、両方向の電流導通と電圧阻止を実現します。これは、高耐圧デプレションモードGaNと、低耐圧ノーマリオフ型シリコンMOSFETを組み合わせています。TP65B110HRU BDS は、SuperGaN^® Gen 1双方向プラットフォームをベースとしています。このBDSは、卓越した性能、標準のゲート駆動との互換性、容易な統合、堅牢な信頼性を提供します。TP65B110HRU BDSは、画期的な統合を実現しています。その結果、部品点数の削減、コスト削減、フットプリントの小型化につながります。このBDSは、超高速スイッチング、高効率、高い電力密度を実現し、MHzクラスの動作とコンパクトな磁気部品に最適です。代表的なアプリケーションとしては、PVインバーター、バッテリ充電器、AIデータセンターおよびテレコム電源、モータドライブ、UPSなどがあります。