ROHM Semiconductor 650V GaN HEMTパワーステージ評価ボード

ローム株式会社 (ROHM Semiconductor)  の 650V GaN HEMT パワーステージ評価ボードは、650V GaN HEMT パワーステージ IC の評価に使用されます。ローム株式会社 (ROHM Semiconductor) の BM3G007MUV-EVK-003 ボードは、BM3G007MUV(GaN FET(650V・70mΩ)、ドライバおよび保護回路を内蔵)と、周辺コンポーネントが実装されたボードで構成されています。BM3G015MUV-EVK-003  評価ボードは、BM3G015MUV(GaN FET(650V・150mΩ)、BM3G015MUVFET650Vドライバおよび保護回路を内蔵)と、周辺部品が実装されたボードで構成されています。BM3G007MUV-EVK-002リファレンスボードは、90Vac~264Vacの入力から400V電圧を出力します。

特徴

  • BM3G007MUV-EVK-002
    • 90Vac~264Vacの入力から400Vの電圧を出力
    • 最大0.6Aの出力電流供給
    • 内蔵GaN HEMT(650V 70mΩ)、ドライバ、保護回路
    • GaNパワーステージは、最大効率97.8%を達成
    • BCM方式PFCコントローラICであるBD7695FJを使用
    • BD7695FJは、PFCを必要とするあらゆる製品に適したシステムを供給します。
    • PFC部にBCMを採用し、ゼロ電流検出によってスイッチング損失とノイズを低減
    • THDは標準8.4%
  • BM3G015MUV-EVK-003
    • BM3G015MUV(GaN FET(650V 150mΩ)、統合ドライバと保護回路)、周辺部品が実装されているボードで構成
    • ICは、主要な既存のコントローラに適応するように設計されており、スーパージャンクションMOSFETといった従来のディスクリート電源スイッチの代替品としても使用可能
  • BM3G007MUV-EVK-003
    • BM3G007MUV(GaN FET(650V 70mΩ)、統合ドライバと保護回路)、周辺部品が実装されているボードで構成
    • ICは、主要な既存のコントローラに適応するように設計されており、スーパージャンクションMOSFETといった従来のディスクリート電源スイッチの代替品としても使用可能
公開: 2023-07-19 | 更新済み: 2026-01-20