ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT電力段IC
ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT電力段ICは、要求の厳しい電子システム用に設計されています。これらのICは、高電力密度と効率性のブレンドが特徴です。このデバイスには、650Vの拡張GaN HEMTとシリコンドライバが統合されています。ROHM Semiconductor Nano Cap 650V GaN HEMT電力段ICは、産業機器、電源、ブリッジトポロジ、アダプタなどのアプリケーションに最適です。
特徴
- Nano Cap統合出力セレクタブル5V LDO
- 産業アプリケーションを対象とした長期サポート製品
- 広い動作範囲のVDD ピン電圧
- INピン電圧のための広い動作範囲
- 低VDD静止および動作電流
- 低伝搬遅延
- 高dv/dt耐性
- 調整可能なゲートドライブ強度
- パワーグッド信号出力
- VDD UVLO保護
- 過熱保護（サーマルシャットダウン）
アプリケーション
- 産業機器
- 高電力密度の電源
- 高効率の要求
- トーテムポールPFCといったブリッジトポロジー
- LLC電源
- アダプター
ビデオ
標準アプリケーション回路
開発ツール
ROHM Semiconductor 650V GaN HEMTパワーステージ評価ボード
650V GaN HEMTパワーステージICの評価に使用されます。
ROHM Semiconductor BM3G005MUV-EVK-003評価キット
BM3G005MUV 650V GaN電力段ICを評価するように設計されたコンパクトで効率的なプラットフォームです。
インフォグラフィック
公開: 2023-07-19
| 更新済み: 2025-05-20