ROHM Semiconductor AG508EGD3 Pチャネル, -40V -40A, パワーMOSFET
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V/-40A PチャンネルパワーMOSFETは、車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を受けています。低オン抵抗（VGS= 4.5Vで0.024Ω）で、車載システムアプリケーションに最適です。TO-252（DPAK）パッケージに収められており、鉛フリーでRoHS準拠です。ROHM Semiconductor AG508EGD3の絶対最大定格は、ドレイン・ソース間電圧（VDSS）が-40Vで、連続ドレイン電流（ID）が±40A（VGS= -10時）です。
特徴
- 低オン抵抗
- 鉛フリーメッキ、RoHS指令適合
- 100%アバランシェ試験を実施済
- AEC-Q101適合
仕様
- 静的ドレイン・ソース間オン状態抵抗（RDS(ON)）
- 18.1Ω（代表値）、24Ω（最大値）（VGS= -10V、ID= -10V時）
- 24.0Ω（代表値）、31Ω（最大値）（VGS= -4.5V、ID= -10A時）
- ドレイン・ソース間電圧（VDSS）：-40V
- 連続ドレイン電流（ID）：±40A（VGS= -10V時）
- パルス印加時ドレイン電流（IDP）：±80A
- ゲート・ソース間電圧（VGSS）：+5/-20V
- ゲート総電荷量（Qg）
- 27.6nC（代表値）（VDD= -20V、ID= -10A、VGS= -10V時）
- 13.0nC（代表値）（VDD= -20V、ID= -10A、VGS= -4.5V時）
- 電力損失（PD）：53W
- ジャンクション温度（Tj）：175°C
回路図
公開: 2025-07-23
| 更新済み: 2025-08-06