ROHM Semiconductorへ戻る

ROHM Semiconductor 車載用 40A / 80A、パワーMOSFET

ローム株式会社 (ROHM Semiconductor) 車載用 40A / 80A、パワーMOSFETは、NchまたはPchのMOSFETです。これらのMOSFETはAEC-Q101に対応しており、低オン抵抗、ドレイン電流 (パルス) ±80A/±160A、消費電力142W(Max) が特長です。40A / 80A パワーMOSFETは、動作温度-55°C～175°C、100%アバランシェ耐量測定済みです。これらのパワーMOSFETは、ADAS、車載、照明用途に最適です。

特徴

  • 低オン抵抗
  • ドレイン電流 (パルス)：±80A/±160A
  • 消費電力：142W(Max)
  • 温度範囲：-55°C～175°C
  • 100%アバランシェ試験済み
  • 鉛フリー対応済（めっき）
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • ADAS
  • 車載
  • 照明

データシート

関連のあるMOSFET

ROHM Semiconductor RD3x車載用NチャンネルパワーMOSFET

AEC-Q101 MOSFETは、低順方向電圧、高速リカバリ時間、高サージ能力を備えています。

Learn MoreROHM Semiconductor RD3x車載用NチャンネルパワーMOSFET について View ProductsROHM Semiconductor RD3x車載用NチャンネルパワーMOSFET に関連
View Results ( 5 ) Page
部品番号 データシート 下降時間 順方向トランスコンダクタンス - 最小 Id - 連続ドレイン電流 Pd - 電力損失 Qg - ゲート電荷 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース トランジスタ極性 標準電源切断遅延時間 ターンオン時の標準遅延時間 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
RD3E08BBJHRBTL RD3E08BBJHRBTL データシート 180 ns 20 S 80 A 142 W 150 nC 3.7 mOhms P-Channel 220 ns 19 ns 30 V - 20 V, 5 V 2.5 V
RD3G08DBKHRBTL RD3G08DBKHRBTL データシート 15 ns 12.1 S 80 A 76 W 28 nC 4.1 mOhms N-Channel 56 ns 18 ns 40 V 20 V 2.5 V
RH7G04BBJFRATCB RH7G04BBJFRATCB データシート 97 ns 14 S 40 A 75 W 25 nC 11.9 mOhms P-Channel 175 ns 14 ns 40 V - 20 V, 5 V 2.5 V
AG091FLD3HRBTL AG091FLD3HRBTL データシート 11 ns 12 S 80 A 76 W 22 nC 7.5 mOhms N-Channel 50 ns 18 ns 60 V 20 V 2.5 V
RD3L08DBKHRBTL RD3L08DBKHRBTL データシート 11 ns 12 S 80 A 76 W 22 nC 7.5 mOhms N-Channel 50 ns 18 ns 60 V 20 V 2.5 V
公開: 2025-05-19 | 更新済み: 2025-10-09