ROHM Semiconductor BM61xゲートドライバ
ROHM Semiconductor BM61x ゲートドライバは、3750Vrms の絶縁耐圧および65nsの入出力遅延時間で1chガルバニック絶縁を提供します。これらのゲートドライバは、アクティブミラークランプ機能および低電圧ロックアウト機能（UVLF）が特徴です。BM61xゲートドライバは、-40°C～+125°C温度範囲および4.5V～5.5V入力側電源電圧範囲で動作します。これらのゲートドライバは、4Aの出力電流、+150°Cの最大接合部温度、60nsの最小入力パルス幅で機能します。ROHM Semiconductor BM61x ゲートドライバは、SiC MOSFETの駆動に最適です。
特徴
- AEC-Q100認定を取得済
- ガルバニック絶縁
- アクティブミラークランピング
- 低電圧ロックアウト機能（UVLF）
仕様
- 動作温度範囲：-40°C～+125°C
- 入力側電源電圧範囲：4.5V〜5.5V
- 出力電流: 4A
- 最大接合部温度：+150°C
- 最小入力パルス幅：60ns
- 絶縁耐圧：3750Vrms
- 入出力遅延時間：65ns
アプリケーション回路
リソース
- アプリケーションノート
ビデオ
開発ツール
ROHM Semiconductor BM61M41RFV-EVK002評価ボード
ハーフブリッジアプリケーションでの高圧側および低圧側のMOSFETパワーデバイス2台を駆動します。
ROHM Semiconductor BM61S40RFV-EVK001評価ボード
SiCパワーデバイスを駆動し、ゲート制御用のアクティブミラークランプを実現しています。
ROHM Semiconductor BM61S40RFV-EVK002評価ボード
ハーフブリッジアプリケーションでの高圧側および低圧側のSiCパワーデバイス2台を駆動します。
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SiCパワーデバイスを駆動し、ゲート制御用のアクティブミラークランプを実現しています。
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ハーフブリッジアプリケーションでの高圧側および低圧側のSiCパワーデバイス2台を駆動します。
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公開: 2020-03-30
| 更新済み: 2024-09-24