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ROHM Semiconductor QH8KデュアルNch+Nch小信号MOSFET

ROHM Semiconductor QH8KデュアルNch+Nch小信号MOSFETは、40V、60V、または100V耐電圧に対応しています。このシリーズは、ファクトリーオートメーション機器などの24V入力機器、および基地局（冷却ファン）に取り付けられたモーターを対象に設計されています。QH8Kは、従来のROHM製品に比べて58%削減を実現している低オン抵抗Nch MOSFETで構成されています。これによって、部品の低電力消費がもたらされます。これらのMOSFETは、小型の表面実装TSMT8パッケージに収められており、8端子と無鉛メッキが施されています。ROHM Semiconductor QH8KデュアルNch+Nch小信号MOSFETは、スイッチングおよびモータ駆動アプリケーションに最適です。

特徴

  • デュアルNch+Nch極性
  • 8端子
  • 低ON抵抗
  • 小型表面実装パッケージ（TSMT8）
  • スイッチングアプリケーションに最適
  • Pbフリーメッキ
  • RoHS準拠
  • ハロゲンフリー

仕様

  • ドレインソース電圧（VDSS）：40Vまたは60V
  • 17.7mΩ、30mΩ、44mΩ、または90mΩ RDS（オン）（最大）
  • ±3A、±4.5A、±5.5A、または±8Aドレイン電流ID
  • 1.5W消費電力

アプリケーション

  • スイッチング
  • モータ駆動

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部品番号 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 上昇時間 下降時間 標準電源切断遅延時間 ターンオン時の標準遅延時間
QH8KC6TCR 60 V 5.5 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC 5.6 ns 4.4 ns 21 ns 8.7 ns
QH8KB6TCR 40 V 8 A 17.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.6 nC 6.2 ns 4.5 ns 21 ns 8.5 ns
QH8KE5TCR 100 V 2 A 202 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.8 nC 6 ns 5 ns 15 ns 6 ns
QH8ME5TCR 100 V 2 A 202 mOhms, 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.8 nC, 19.7 nC 6 ns, 7 ns 5 ns, 48 ns 15 ns, 105 ns 6 ns, 7.3 ns
QH8KB5TCR 40 V 4.5 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.5 nC 4.4 ns 2.7 ns 11 ns 5 ns
QH8KC5TCR 60 V 3 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.1 nC 4.8 ns 3.1 ns 13 ns 5.3 ns
QH8KE6TCR 100 V 4 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.7 nC 8 ns 9 ns 20 ns 7.5 ns
公開: 2021-06-30 | 更新済み: 2024-01-29