ROHM Semiconductor RF7x車載用パワーMOSFET
ローム株式会社(ROHM Semiconductor)RF7x車載用パワーMOSFET(RF7G、RF7L、RF7Pバリアントで構成)は、要求の厳しい電力アプリケーションを対象に設計された高性能シリコンカーバイド(SiC)デバイスです。これらのMOSFETは、1,200V電圧定格を備えているため、ROHM RF7x MOSFETは、車載用インバータ、オンボード充電器、産業用電源システムといった高電圧環境に最適です。RF7Gシリーズには、汎用用途に適したバランスのとれた特性が備わっています。他方、RF7Lシリーズは、低導通損失を目的に最適化されており、バッテリ管理やエネルギー貯蔵といった連続動作シナリオでの効率性を向上させます。RF7Pシリーズは高速スイッチングに優れており、テレコム機器やLED照明といった迅速な応答を必要とするアプリケーションに最適です。すべての型式において、主な特徴として、低オン抵抗、高速スイッチング性能、高い信頼性、コンパクトなパッケージがあり、車載および産業分野の両方で効率的で堅牢な電力変換が可能です。特徴
- 電圧定格:1,200V
- SiC MOSFET テクノロジー
- 低いオン抵抗 [RDS(on)]
- 高速 スイッチング 性能
- 拡張モード
- NチャンネルとPチャンネルオプション
- 高信頼性
- コンパクトな表面実装DFN2020-8パッケージ
- 最適化されたゲート電荷
アプリケーション
- 汎用タイプ(RF7Gx)
- 車載用インバータ
- オンボード充電器(OBC)
- DC/DCコンバータ
- 産業用電源
- モータドライブ
- 再生可能エネルギー システム
- UPSシステム
- EV充電ステーション
- 高速スイッチングタイプ(RF7Px)
- 家電製品
- LED照明
- 低電圧電源
- 携帯機器
- モノのインターネット(IoT)アプリケーション
- 電気通信機器
- 低損失タイプ(RF7Lx)
- 車載用電子機器
- バッテリマネジメントシステム
- パワートレイン制御
- 産業用オートメーション
- ロボティクス
- スマートグリッドインフラ
- エネルギー貯蔵システム
仕様
- ドレイン-ソース間絶縁破壊電圧オプション:40V、60V、100V
- 連続ドレイン電流:12A
- ドレイン-ソース間抵抗範囲:18.5mΩ~119mΩ
- ゲート-ソース閾値電圧オプション:2.5Vまたは4V
- 電力損失:23W
- ゲート電荷範囲:6.8nC~15.7nC
- 最小順方向トランスコンダクタンス範囲:2.7S~4S
- 立ち上がり時間範囲 :6ns~13ns
- ターンオン遅延時間範囲: 7ns ~ 9ns (typ)
- 4.7ns ~ 18ns下降時間範囲
- ターンオフ遅延時間範囲: 16ns ~ 52ns (typ)
- 動作温度範囲: -55°C~+150°C
内部回路
公開: 2025-10-10
| 更新済み: 2025-10-17
