ROHM Semiconductor RF7x車載用パワーMOSFET

ローム株式会社(ROHM Semiconductor)RF7x車載用パワーMOSFET(RF7G、RF7L、RF7Pバリアントで構成)は、要求の厳しい電力アプリケーションを対象に設計された高性能シリコンカーバイド(SiC)デバイスです。これらのMOSFETは、1,200V電圧定格を備えているため、ROHM RF7x MOSFETは、車載用インバータ、オンボード充電器、産業用電源システムといった高電圧環境に最適です。RF7Gシリーズには、汎用用途に適したバランスのとれた特性が備わっています。他方、RF7Lシリーズは、低導通損失を目的に最適化されており、バッテリ管理やエネルギー貯蔵といった連続動作シナリオでの効率性を向上させます。RF7Pシリーズは高速スイッチングに優れており、テレコム機器やLED照明といった迅速な応答を必要とするアプリケーションに最適です。すべての型式において、主な特徴として、低オン抵抗、高速スイッチング性能、高い信頼性、コンパクトなパッケージがあり、車載および産業分野の両方で効率的で堅牢な電力変換が可能です。

特徴

  • 電圧定格:1,200V
  • SiC MOSFET テクノロジー
  • 低いオン抵抗 [RDS(on)]
  • 高速 スイッチング 性能
  • 拡張モード
  • NチャンネルとPチャンネルオプション
  • 高信頼性
  • コンパクトな表面実装DFN2020-8パッケージ
  • 最適化されたゲート電荷

アプリケーション

  • 汎用タイプ(RF7Gx)
    • 車載用インバータ
    • オンボード充電器(OBC)
    • DC/DCコンバータ
    • 産業用電源
    • モータドライブ
    • 再生可能エネルギー システム
    • UPSシステム
    • EV充電ステーション
  • 高速スイッチングタイプ(RF7Px)
    • 家電製品
    • LED照明
    • 低電圧電源
    • 携帯機器
    • モノのインターネット(IoT)アプリケーション
    • 電気通信機器
  • 低損失タイプ(RF7Lx)
    • 車載用電子機器
    • バッテリマネジメントシステム
    • パワートレイン制御
    • 産業用オートメーション
    • ロボティクス
    • スマートグリッドインフラ
    • エネルギー貯蔵システム

仕様

  • ドレイン-ソース間絶縁破壊電圧オプション:40V、60V、100V
  • 連続ドレイン電流:12A
  • ドレイン-ソース間抵抗範囲:18.5mΩ~119mΩ
  • ゲート-ソース閾値電圧オプション:2.5Vまたは4V
  • 電力損失:23W
  • ゲート電荷範囲:6.8nC~15.7nC
  • 最小順方向トランスコンダクタンス範囲:2.7S~4S
  • 立ち上がり時間範囲 :6ns~13ns
  • ターンオン遅延時間範囲: 7ns ~ 9ns (typ)
  • 4.7ns ~ 18ns下降時間範囲
  • ターンオフ遅延時間範囲: 16ns ~ 52ns (typ)
  • 動作温度範囲: -55°C~+150°C

内部回路

アプリケーション回路図 - ROHM Semiconductor RF7x車載用パワーMOSFET
公開: 2025-10-10 | 更新済み: 2025-10-17