ROHM Semiconductor RFNxRSM2Sウルトラファストリカバリダイオード

ROHM Semiconductor RFNxRSM2S超高速リカバリダイオードは、順方向電圧が低く、スイッチング損失が低いシリコンエピタキシャルプレーナ型ダイオードです。これらの超高速ダイオードは、200Vピーク逆電圧および-55°C ~ 175°Cの保存温度範囲が特徴です。RFNxRSM2S超高速リカバリダイオードは、大電流過負荷容量を実現しています。これらのダイオードは、TO-277Aパッケージに収められています。RFNxRSM2S超高速リカバリダイオードはRoHSに準拠しており、一般整流アプリケーションに最適です。

特徴

  • シリコンエピタキシャルプレーナ型構造タイプ
  • 200V ピーク逆電圧
  • 低順方向電圧
  • 低スイッチング損失
  • 高電流耐量

アプリケーション

  • 汎用整流
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部品番号 データシート 最大サージ電流 If - 順電流(Forward Current) 回復時間 Ir - 逆電流(Reverse Current) Vf - 順電圧(Forward Voltage)
RFN4RSM2STFTL1 RFN4RSM2STFTL1 データシート 80 A 4 A 36 ns 1 uA 930 mV
RFN4RSM2STL1 RFN4RSM2STL1 データシート 80 A 4 A 36 ns 1 uA 930 mV
RFN6RSM2STFTL1 RFN6RSM2STFTL1 データシート 80 A 6 A 38 ns 1 uA 930 mV
RFN6RSM2STL1 RFN6RSM2STL1 データシート 80 A 6 A 38 ns 1 uA 930 mV
RFN10RSM2STFTL1 RFN10RSM2STFTL1 データシート 130 A 10 A 25 ns 1 uA 960 mV
RFN10RSM2STL1 RFN10RSM2STL1 データシート 130 A 10 A 25 ns 1 uA 960 mV
公開: 2024-05-22 | 更新済み: 2024-06-11