ROHM Semiconductor RFNxRSM2Sウルトラファストリカバリダイオード
ROHM Semiconductor RFNxRSM2S超高速リカバリダイオードは、順方向電圧が低く、スイッチング損失が低いシリコンエピタキシャルプレーナ型ダイオードです。これらの超高速ダイオードは、200Vピーク逆電圧および-55°C ~ 175°Cの保存温度範囲が特徴です。RFNxRSM2S超高速リカバリダイオードは、大電流過負荷容量を実現しています。これらのダイオードは、TO-277Aパッケージに収められています。RFNxRSM2S超高速リカバリダイオードはRoHSに準拠しており、一般整流アプリケーションに最適です。特徴
- シリコンエピタキシャルプレーナ型構造タイプ
- 200V ピーク逆電圧
- 低順方向電圧
- 低スイッチング損失
- 高電流耐量
アプリケーション
- 汎用整流
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| 部品番号 | データシート | 最大サージ電流 | If - 順電流(Forward Current) | 回復時間 | Ir - 逆電流(Reverse Current) | Vf - 順電圧(Forward Voltage) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RFN4RSM2STFTL1 | ![]() |
80 A | 4 A | 36 ns | 1 uA | 930 mV |
| RFN4RSM2STL1 | ![]() |
80 A | 4 A | 36 ns | 1 uA | 930 mV |
| RFN6RSM2STFTL1 | ![]() |
80 A | 6 A | 38 ns | 1 uA | 930 mV |
| RFN6RSM2STL1 | ![]() |
80 A | 6 A | 38 ns | 1 uA | 930 mV |
| RFN10RSM2STFTL1 | ![]() |
130 A | 10 A | 25 ns | 1 uA | 960 mV |
| RFN10RSM2STL1 | ![]() |
130 A | 10 A | 25 ns | 1 uA | 960 mV |
公開: 2024-05-22
| 更新済み: 2024-06-11

