ROHM Semiconductor RGSx0TSX2xフィールドストップトレンチIGBT
ROHM Semiconductor RGSx0TSX2xフィールドストップトレンチIGBTは、10µs SCSOA（短絡安全動作領域）保証の絶縁ゲートバイポーラトランジスタで、一般的なインバータ、UPS、PVインバータ、パワーコンディショナ・アプリケーションに適しています。RGSx0TSX2x IGBTには、サイズの削減と効率性の向上に貢献する低導通損失が備わっています。これらのデバイスには、独自のトレンチゲートおよび薄型ウエハー技術が活用されています。これらのテクノロジーは、スイッチング損失が低減される低コレクタエミッタ飽和電圧（VCE(sat)）の達成に貢献します。これらのIGBTは、さまざまな高電圧・大電流アプリケーションでの省エネを改善します。
ROHM Semiconductor RGSx0TSX2xフィールドストップトレンチIGBTは、TO-247Nパッケージで販売されています。RGS80TSX2D、RGS30TSX2D、RGS50TSX2Dは 、統合高速リカバリダイオード（FRD）も特徴です。
特徴
- 短絡耐久時間：10μs
- 内蔵FRD高速およびソフトリカバリダイオード（RGS80TSX2D、RGS30TSX2D、RGS50TSX2Dのみ）
- コレクタ-エミッタ電圧：1200V（VCES）
- ゲート-エミッタ電圧：±30V（VGES）
- 1.7Vコレクタ-エミッタ飽和電圧（VCE(sat)）
- ゲート-エミッタ閾値電圧：7V（VGE(th)）
- 動作接合部温度範囲:-40°C～+175°C
- TO-247Nパッケージ
- 無鉛かつRoHS準拠
アプリケーション
- 一般的なインバータ
- UPS
- PVインバータ
- パワーコンディショナ
関連製品
ROHM Semiconductor RGSフィールドストップトレンチ車載用IGBT
この設計は、低い導通損失と低いVCE（sat）を提供し、スイッチング損失も削減します。
ピン配列
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| 部品番号 | データシート | 25 Cでのコレクターの直流 | Pd - 電力損失 |
|---|---|---|---|
| RGS30TSX2DGC11 |  |
30 A | 267 W |
| RGS50TSX2GC11 | |
50 A | 395 W |
| RGS80TSX2GC11 | |
80 A | 555 W |
| RGS30TSX2GC11 | |
30 A | 267 W |
| RGS80TSX2DGC11 | |
80 A | 555 W |
| RGS50TSX2DGC11 | |
50 A | 395 W |
公開: 2021-03-17
| 更新済み: 2022-03-11