ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA Pch -30V, パワーMOSFET
ローム株式会社の RH7E04BBJFRA -30V PチャンネルパワーMOSFETは、-30Vドレイン・ソース間電圧（VDSS）、およびドレイン電流±40A（ID）定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101認定を取得しています。このMOSFETのドレイン・ソース間オン状態抵抗（RDS(ON)）は、VGS = -10V、ID = -20Aで7.52mΩ（最大）、またはVGS = -4.5V、ID = -10Aで11.3mΩ（最大）です。全ゲート電荷（Qg）は、VDD = -15V、ID = -10A、VGS = -10Vで65.0nC（標準）です。ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRAは、先進ドライバ支援システム（ADAS）、情報、照明、ボディアプリケーションに最適です。
特徴
- ウェッタブルフランク製品
- AEC-Q101準拠
- 100%アバランシェ試験済み
アプリケーション
- ADAS
- 情報
- ランプ
- 本体
仕様
- ドレイン・ソース間オン状態抵抗 [RDS(ON)]
- （最大）7.5mΩ（VGS = -10V、ID = -20A）
- （最大）11.3mΩ（VGS = -4.5V、ID = -10A）
- 電力損失75W（PD）
- 全ゲート電荷（Qg）
- （標準）65.0nC（VDD = -15V、ID = -10A、VGS = -10V）
- （標準）34.0nC（VDD = -15V、ID = -10A、VGS = -4.5V）
- 接合部温度+175°C（Tj）
回路図
パッケージ図
公開: 2025-07-23
| 更新済み: 2025-08-19