ROHM Semiconductor RH7G04 40V NチャンネルパワーMOSFET
ローム株式会社の RH7G04 40V NチャンネルパワーMOSFETは、40ドレイン－ソース電圧40V (VDSS)、および連続ドレイン電流±40A (ID) 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を受けています。これらのMOSFETは、ドレイン・ソース間オン状態抵抗 [RDS(ON)] が低いことが特徴で、3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) パッケージでご利用いただけます。ローム株式会社の RH7G04 MOSFETは、先進運転支援システム (ADAS)、情報、照明、ボディアプリケーションに最適です。
特徴
- ウェッタブルフランク製品
- AEC-Q101認定を取得済
- 100%アバランシェ試験済
アプリケーション
- ADAS
- 情報
- 照明
- ボディ
仕様
- ドレイン・ソース間オン状態抵抗 [RDS(ON)]
- RH7G04BBKFRA
- (最大) 3.1mΩ (VGS = 10V、ID = 20A)
- (最大) 5.8mΩ (VGS = 4.5V、ID = 10A)
- RH7G04CBLFRA
- (最大) 5.8mΩ (VGS = 10V、ID = 20A)
- (最大) 8.7mΩ (VGS = 4.5V、ID = 10A)
- RH7G04DBKFRA
- (最大) 12.6mΩ (VGS = 10V、ID = 20A)
- (最大) 23.9mΩ (VGS = 4.5V、ID = 10A)
- RH7G04BBKFRA
- 電力損失 (PD)
- RH7G04BBKFRA - 75W
- RH7G04CBLFRA - 62W
- RH7G04DBKFRA - 33W
- 全ゲート電荷 (Qg)
- RH7G04BBKFRA
- (標準) 26.8nC (VDD = 20V、ID = 10A、VGS = 10V)
- (標準) 13.5nC (VDD = 20V、ID = 10A、VGS = 4.5V)
- RH7G04CBLFRA
- (標準) 17.7nC (VDD = 20V、ID = 10A、VGS = 10V)
- (標準) 8.9nC VDD = 20V、ID = 10A、VGS = 4.5V)
- RH7G04DBKFRA
- (標準) 7.6nC (VDD = 20V、ID = 10A、VGS = 10V)
- (標準) 4.2nC (VDD = 20V、ID = 10A、VGS = 4.5V)
- RH7G04BBKFRA
回路図
パッケージ図
公開: 2025-07-24
| 更新済み: 2025-08-19