ROHM Semiconductor RH7L04 60V NチャンネルパワーMOSFET
ローム株式会社の RH7L04 60V NチャンネルパワーMOSFETは、AEC-Q101認定を取得済で、ドレイン・ソース間電圧60V（VDSS）および連続ドレイン電流±40A（ID）定格の車載グレードMOSFETです。これらのMOSFETは、低ドレイン・ソース間オン状態抵抗 [ RDS(ON)] が特徴で、 3.3mm x 3.3mm DFN-8（DFN3333T8LSAB）パッケージでご利用いただけます。ROHM Semiconductor RH7L04 MOSFETは、先進ドライバ支援システム（ADAS）、情報、照明、ボディアプリケーションに最適です。
特徴
- ウェッタブルフランク製品
- AEC-Q101準拠
- 100%アバランシェ試験済み
アプリケーション
- ADAS
- 情報
- ランプ
- 本体
仕様
- ドレイン・ソース間オン状態抵抗 [RDS(ON)]
- RH7L04BBKFRA
- （最大）6.4mΩ（VGS = 10V、ID = 20A）
- （最大）9.9mΩ（VGS = 4.5V、ID = 10A）
- RH7L04CBKFRA
- （最大）10.6mΩ（VGS = 10V、ID = 20A）
- （最大）16.0mΩ（VGS = 4.5V、ID = 10A）
- RH7L04CBLFRA
- （最大）10.6mΩ（VGS = 10V、ID = 20A）
- （最大）14.8mΩ（VGS = 4.5V、ID = 10A）
- RH7L04BBKFRA
- 電力損失（PD）
- RH7L04BBKFRA - 75W
- RH7L04CBKFRA - 62W
- RH7L04CBLFRA - 64W
- 全ゲート電荷（Qg）
- RH7L04BBKFRA
- （標準）21nC（VDD = 30V、ID = 10A、VGS = 10V）
- （標準）105nC（VDD = 30V、ID = 10A、VGS = 4.5V）
- RH7L04CBKFRA
- （標準）13.6nC（VDD = 30V、ID = 10A、VGS = 10V）
- （標準）6.6nC（VDD = 30V、ID = 10A、VGS = 4.5V）
- RH7L04CBLFRA
- （標準）13.6nC（VDD = 30V、ID = 10A、VGS = 10V）
- （標準）6.6nC（VDD = 30V、ID = 10A、VGS = 6.0V）
- RH7L04BBKFRA
- 接合部温度+175°C（Tj）
回路図
パッケージ図
公開: 2025-07-24
| 更新済み: 2025-08-19