ROHM Semiconductor RQ3xFRATCBパワーMOSFET
ROHM Semiconductor RQ3xFRATCBパワーMOSFETは、AEC-Q101-qualified、車載グレードのMOSFETです。これらのMOSFETは、-40V ~ 100Vドレイン-ソース電圧範囲、8端子、最大69W電力損失、 ±12A ~ ±27A連続ドレイン電流が特徴です。RQ3xFRATCBパワーMOSFETは、NチャンネルおよびPチャンネルでご用意があります。これらのパワーMOSFETは、小型3.3mm x 3.3mm HSMT8AGパッケージに収められています。RQ3xFRATCBパワーMOSFETは、先進運転支援システム(ADAS) 、インフォテインメント、照明、本体に最適です。
特徴
- AEC-Q101準拠
- 小型・ハイパワー実現パッケージ
- 独自の端子とメッキ処理により、高い実装信頼性を実現
- NチャネルまたはPチャネルを利用可能
- 寸法：3.3mm x 3.3mm (t=0.8)
- パッケージ HSMT8AG
アプリケーション
- 先進運転支援システム（ADAS）
- インフォテインメント
- 照明
- 本体
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| 部品番号 | データシート | トランジスタ極性 | チャンネル数 | Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Qg - ゲート電荷 | Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 | Pd - 電力損失 | 下降時間 | 順方向トランスコンダクタンス - 最小 | 上昇時間 | 標準電源切断遅延時間 | ターンオン時の標準遅延時間 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RQ3G270BJFRATCB |  |
P-Channel | 1 Channel | 40 V | 27 A | 22 mOhms | 32 nC | 2.5 V | 69 W | 37 ns | 11 S | 15 ns | 126 ns | 10 ns |
| RQ3G120BJFRATCB | |
P-Channel | 1 Channel | 40 V | 12 A | 48 mOhms | 15.5 nC | 2.5 V | 40 W | 9.8 ns | 6.5 S | 4.7 ns | 36 ns | 6.7 ns |
| RQ3L120BJFRATCB | |
P-Channel | 1 Channel | 60 V | 12 A | 106 mOhms | 15.7 nC | 2.5 V | 40 W | 18 ns | 7.8 S | 13 ns | 52 ns | 8.7 ns |
公開: 2024-05-22
| 更新済み: 2024-06-11