ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1パワーMOSFET

ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1パワーMOSFETは、無鉛メッキ、低ON抵抗、HSOP8小型表面実装パッケージが特徴です。このMOSFETは、-55°C～150°C温度範囲、-40Vドレイン-ソース電圧、± 80Aパルスドレイン電流、±20Vゲート-ソース電圧で動作します。RS1G201ATTB1パワーMOSFETは、スイッチングでの使用に最適です。