ROHM Semiconductor RSB12 150mWツェナーダイオード

ROHM RSB12 150mWツェナーダイオードは、超小型モールドタイプ（EMD3またはEMD6）の小静電容量保護デバイスです。これらのデバイスのツェナー電圧の範囲は、I_Z = 5mAで9.6V（最小）〜14.4V（最大）です。これらのデバイスの逆方向電流は0.10uA、逆方向電圧は9Vです。これらのROHM RSB12 150mWツェナーダイオードは双方向で、シリコン・エピタキシャル・プレーナ型構造が採用されています。