ROHM Semiconductor RY7P250BMパワーMOSFET
ローム株式会社 (ROHM Semiconductor)RY7P250BMパワーMOSFETは、1.86mΩ（最大）の低オン抵抗で設計され、DFN8080ハイパワーパッケージに搭載されています。本パワーMOSFETは、100Vのドレイン・ソース間電圧（VDSS）、±300Aのドレイン電流（ID）、および340Wの電力損失（PD）を特徴としています。RY7P250BM MOSFETは広い安全動作領域（SOA）を備えており、より高い電圧や電流に対して損傷なく耐えることができ、堅牢性と信頼性を高めます。ROHM RY7P250BM MOSFETは、ホットスワップコントローラ（HSC）アプリケーションに適しています。
特徴
- 低オン抵抗（RDS(on)：1.43mΩ（代表値）
- 低オン抵抗（RDS(on)：1.86mΩ（最大値）
- ドレイン・ソース間電圧（VDSS）100V
- ドレイン電流（ID）：±300A
- 電力損失（PD）：340W
- さらに広い安全動作領域 (SOA)
- DFN8080 ハイパワーパッケージ
- 鉛フリーメッキ
- RoHS準拠
- ハロゲンフリー
- 100% RgおよびUISテスト済み
アプリケーション
- 48VAIサーバーシステムと電源ホットスワップ回路で。データセンター
- 48V 産業機器パワーシステム（フォークリフト、電力ツール、ロボット、ファンモータなど）
- 自動誘導車両 (AGV) といったバッテリ駆動産業用機器
- UPSおよび非常用電源システム（バッテリバックアップユニット）
パッケージスタイル
ビデオ
インフォグラフィック
関連アプリケーション
ROHM Semiconductor サーバー/データセンター向けソリューション
省エネ、信頼性の向上、およびコンパクトなサーバー設計を可能にする技術を提供しています。
公開: 2025-06-12
| 更新済み: 2026-09-25