ROHM Semiconductor RY7P250BMパワーMOSFETの取り扱いを開始
新製品投入（New Product Introduction: NPI）の業界リーダー™として、イノベーションを推進するMouser Electronics（マウザー・エレクトロニクス 本社：米国テキサス州マンスフィールド、以下マウザー）は、ローム株式会社（本社：京都市右京区、以下ローム）の新製品RY7P250BM パワーMOSFETの取り扱いを開始しました。本製品は、AIサーバ、データセンタ、産業機器、エネルギー貯蔵用途で使用される48V電源システムのホットスワップ回路に最適化されています。
生成AIや高性能GPUの電力効率や電流の要求が高まる中、ロームの最新MOSFETは広範な安全動作領域（SOA）を備えています。これにより、高電圧にも耐えつつ、突入電流や過負荷から回路をしっかり保護します。10msで16A、1msで50Aの電流供給が可能で、従来のMOSFETでは対応できなかった高負荷でも安定した動作を実現します。その結果、システム全体の信頼性と効率が大幅に向上します。
RY7P250BMは既存設計のドロップイン置き換えとしても使用でき、システムの電源を入れたまま安全にモジュール交換が可能です。主な仕様には、ドレイン-ソース間電圧（VDSS）100V、ドレイン電流（ID）±300A、電力損失（PD）340W があり、すべてコンパクトな8080サイズのパッケージに収められています。
さらに、本製品は業界トップクラスの低オン抵抗1.86mΩ（VGS=10V、ID=50A、Tj=25°C）を実現しており、同サイズの従来型広範囲SOA対応100V MOSFET（2.28mΩ）と比較して、約18％低く抑えられています。これにより、ホットスワップコントローラ（HSC）やAIサーバでの使用時に電力損失と発熱を最小化できます。
ロームRY7P250BM パワーMOSFETの詳細は、以下をご覧ください。
https://www.mouser.jp/new/rohm-semiconductor/rohm-ry7p250bm-power-mosfet
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