ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 NチャンネルSiCパワーMOSFET

ROHM Semiconductor  SCT4045DWAHR AEC-Q101 Nチャンネル炭化ケイ素(SiC)パワーMOSFETは、過酷な環境下での高効率、高信頼性アプリケーション向けに設計された車載グレードのデバイスです。ドレイン-ソース電圧定格750V、および(チップあたり+25°C)の連続ドレイン電流31Aを備えたこのデュアルMOSFETデバイスは、チャンネルあたりわずか45mΩ の標準的なオン抵抗を備えており、導通損失の低減と熱性能の向上が可能になります。コンパクトなTO-263-7LA構成に格納されたROHM SCT4045DWAHRは、高密度設計や効率的な熱管理に対応しています。

SCT4045DWAHRは、電気自動車(EV)インバータ、オンボード充電器、およびその他の車載用パワートレインシステムでの使用に最適で、高速スイッチング、低スイッチング損失、優れた高温動作といったSiC技術の固有の利点の恩恵を享受しています。車載認定によって、厳しい信頼性基準の下での堅牢な性能が保証され、MOSFETは次世代車両の電化に強い選択肢となります。

特徴

  • AEC-Q101適合
  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチング速度
  • 高速リバースリカバリ
  • 並列が容易
  • シンプルな駆動
  • TO-263-7LAパッケージ
  • 4.7mm(最小)の広い沿面距離
  • 鉛フリーリードメッキ
  • RoH準拠

アプリケーション

  • 自動車
  • スイッチモード電源

仕様

  • 最高ドレイン-ソース間電圧:750V
  • 最大連続ドレイン/ ソース電流
    • 31A(+25°C時)
    • 22A(+100°C時)
  • 80μA最大ゼロゲート電圧ドレイン電流
  • 最大パルスドレイン電流:61A
  • ボディダイオード
    • 最大順電流
      • パルス:31A
      • サージ:61A
    • 3.3Vの標準順電圧
    • 標準的な逆回復時間 9.3ns
    • 逆回復充電:61A
    • 標準ピーク逆回復電流:19A
  • 最高DCゲート-ソース間電圧範囲:-4V~21V
  • 最高ゲート-ソース・サージ電圧範囲:-4V ~ 23V
  • 最大推奨ゲート-ソース駆動電圧
    • 最大ターンオン範囲:15V ~ 18V
    • ターンオフ 0V
  • ゲート-ソース間リーク電流:±100nA
  • ゲート閾値電圧範囲:2.8V ~ 4.8V
  • ドレイン-ソース間オン状態抵抗
    • +25°Cでの最大静的:59mΩ
    • 標準45mΩ
  • 標準ゲート入力抵抗:4Ω
  • 接合部対ケース熱抵抗:1.6K/W
  • 標準トランスコンダクタンス:9.3S
  • 標準静電容量
    • 1,460pF入力
    • 69pF 出力
    • 5pF逆方向転送
    • 有効出力90pF、エネルギー関連
  • 標準ゲート
    • 合計:63nC
    • ソース充電:14nC
    • ドレイン充電:19nC
  • 標準時間
    • 5.1nsターンオン遅延
    • 立ち上がり16ns
    • 27nsターンオフ遅延
    • 10ns立ち下がり
  • 標準スイッチング損失
    • ターンオン:112μJ
    • ターンオフ:17μJ
  • 最大仮想接合部温度:+175°C

内部回路

ロケーション回路 - ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 NチャンネルSiCパワーMOSFET
公開: 2025-06-13 | 更新済み: 2025-06-19