ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 NチャンネルSiCパワーMOSFET
ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 Nチャンネル炭化ケイ素(SiC)パワーMOSFETは、過酷な環境下での高効率、高信頼性アプリケーション向けに設計された車載グレードのデバイスです。ドレイン-ソース電圧定格750V、および(チップあたり+25°C)の連続ドレイン電流31Aを備えたこのデュアルMOSFETデバイスは、チャンネルあたりわずか45mΩ の標準的なオン抵抗を備えており、導通損失の低減と熱性能の向上が可能になります。コンパクトなTO-263-7LA構成に格納されたROHM SCT4045DWAHRは、高密度設計や効率的な熱管理に対応しています。SCT4045DWAHRは、電気自動車(EV)インバータ、オンボード充電器、およびその他の車載用パワートレインシステムでの使用に最適で、高速スイッチング、低スイッチング損失、優れた高温動作といったSiC技術の固有の利点の恩恵を享受しています。車載認定によって、厳しい信頼性基準の下での堅牢な性能が保証され、MOSFETは次世代車両の電化に強い選択肢となります。
特徴
- AEC-Q101適合
- 低オン抵抗
- 高速スイッチング速度
- 高速リバースリカバリ
- 並列が容易
- シンプルな駆動
- TO-263-7LAパッケージ
- 4.7mm(最小)の広い沿面距離
- 鉛フリーリードメッキ
- RoH準拠
アプリケーション
- 自動車
- スイッチモード電源
仕様
- 最高ドレイン-ソース間電圧:750V
- 最大連続ドレイン/ ソース電流
- 31A(+25°C時)
- 22A(+100°C時)
- 80μA最大ゼロゲート電圧ドレイン電流
- 最大パルスドレイン電流:61A
- ボディダイオード
- 最大順電流
- パルス:31A
- サージ:61A
- 3.3Vの標準順電圧
- 標準的な逆回復時間 9.3ns
- 逆回復充電:61A
- 標準ピーク逆回復電流:19A
- 最大順電流
- 最高DCゲート-ソース間電圧範囲:-4V~21V
- 最高ゲート-ソース・サージ電圧範囲:-4V ~ 23V
- 最大推奨ゲート-ソース駆動電圧
- 最大ターンオン範囲:15V ~ 18V
- ターンオフ 0V
- ゲート-ソース間リーク電流:±100nA
- ゲート閾値電圧範囲:2.8V ~ 4.8V
- ドレイン-ソース間オン状態抵抗
- +25°Cでの最大静的:59mΩ
- 標準45mΩ
- 標準ゲート入力抵抗:4Ω
- 接合部対ケース熱抵抗:1.6K/W
- 標準トランスコンダクタンス:9.3S
- 標準静電容量
- 1,460pF入力
- 69pF 出力
- 5pF逆方向転送
- 有効出力90pF、エネルギー関連
- 標準ゲート
- 合計:63nC
- ソース充電:14nC
- ドレイン充電:19nC
- 標準時間
- 5.1nsターンオン遅延
- 立ち上がり16ns
- 27nsターンオフ遅延
- 10ns立ち下がり
- 標準スイッチング損失
- ターンオン:112μJ
- ターンオフ:17μJ
- 最大仮想接合部温度:+175°C
内部回路
公開: 2025-06-13
| 更新済み: 2025-06-19
