ROHM Semiconductor VSxUA1LBTBR1トランジェントボルテージサプレッサ

ROHM Semiconductor VSxUA1LBTBR1過渡電圧サプレッサは、信頼性の高いTVSダイオードです。これらの電圧サプレッサは、600Wピークパルス電力および150°Cの接合部温度が特徴です。VSxUA1LBTBR1過渡電圧サプレッサには、シリコンエピタキシャルプレーナ型構造があります。これらのTVSダイオードは、小型パワーモールドタイプになっており、DO-214AA（SMB）パッケージに収められています。これらの過渡電圧サプレッサは、サージ保護アプリケーションに最適です。

特徴

シリコンエピタキシャルプレーナ型構造
信頼性が高い

ピークパルス電力: 600W
小型モールドタイプ

アプリケーション

サージ保護

View Results ( 20 ) Page

部品番号	動作電圧	制限電圧	破壊電圧	Ipp - ピークパルス電流
VS26VUA1LBTBR1	26 V	42.1 V	28.9 V	14.3 A
VS13VUA1LBTBR1	13 V	21.5 V	13 V	28 A
VS30VUA1LBTBR1	30 V	48.4 V	30 V	12.4 A
VS5V0UA1LBTBR1	5 V	10.5 V	5 V	57 A
VS10VUA1LBTBR1	10 V	17 V	11.1 V	35.3 A
VS11VUA1LBTBR1	11 V	18.2 V	12.2 V	33 A
VS12VUA1LBTBR1	12 V	19.9 V	13.3 V	30.2 A
VS14VUA1LBTBR1	14 V	23.2 V	15.6 V	25.9 A
VS15VUA1LBTBR1	15 V	24.4 V	16.7 V	24.6 A
VS16VUA1LBTBR1	16 V	26 V	17.8 V	23.1 A

公開: 2024-05-24 | 更新済み: 2025-06-17