STMicroelectronics EVLSTGAP3S3Sハーフブリッジ評価ボード

STMicroelectronics EVLSTGAP3S3S ハーフブリッジ評価ボードは、シングル絶縁型ゲート・ドライバSTGAP3S3Sを評価できます。STGAP3S3Sは、電流容量3A、レール・ツー・レール出力、SiC MOSFET用に最適化されたUVLOおよびDESAT保護しきい値が特徴です。これらの機能により、産業アプリケーション向けの高出力モータ・ドライバに最適です。このゲート・ドライバは、ミラー・クランプと単一の出力ピンを搭載しており、ハーフブリッジ・トポロジの高速転流中に正および負ゲート・スパイクの抑制を最適化します。

5VのVAUX接続でボードによって電源を供給し、ローサイドおよびハイサイド駆動セクション用の絶縁型DC-DCコンバータに給電します。5VのMCUを使用すると、AUXがゲート・ドライバに電源を直接供給します。3.3VのMCUの場合は、オンボード・リニア・レギュレータが代用されます。専用コネクタを使用すると、PWM入力とリセット入力を制御できます。加えて、オンボードLEDが診断出力を表示します。

推奨されるボードネットワークは、デバイス保護機能(不飽和、ソフトターンオフ、ミラークランプ)を接続し、ユーザーがボードのテストポイントで簡単に評価できるようにします。デュアル入力ピンの搭載により、インターロッキング保護および選択極性制御セクションを実装できるため、コントローラの誤作動が発生してもクロスコンダクションを回避できます。このデバイスは負ゲート駆動に対応しています。さらに、オンボードの絶縁型DC-DCコンバータにより、SiCMOSFETの駆動電圧を最適化できます。

STMicroelectronics EVLSTGAP3S3Sボードは、STGAP3S3Sの全機能を評価できる他、最大1200Vのバス電圧で動作します。

特徴

  • STGAP3S3S
    • ソース/シンク 3A、25°Cドライバ電流能力時
    • 入力-出力伝播遅延 75ns
    • ミラー・クランプ機能を内蔵
    • UVLO機能
    • 不飽和保護
    • 調整可能なソフト・ターンオフ
    • ゲート駆動電圧 最大32V
    • 負のゲート駆動電圧
    • ヒステリシスで3.3V、5V TTL/CMOS入力
    • 温度シャットダウン保護
    • 強化ガルバニック絶縁
      • 絶縁電圧 VISO = 5.7kVRMS (UL 1577)
      • 過渡電圧 VIOTM = 8kVPEAK (IEC 60747-17)
      • 最大繰り返し絶縁電圧 VIORM = 1.2kVPEAK (IEC 60747-17)
  • ボード
    • ハーフブリッジ構成
    • 高電圧レール最大1200V(SiC MOSFETおよびコンデンサの定格による制限あり)
    • 1200V 12A SCT10N120AG SiC
    • 5Vおよび3.3V MCUと互換
    • ボード上で生成される3.3VまたはVAUX = 5Vによって供給されるVDD論理
    • VAUX = 5Vから電源供給され、ハイサイドおよびローサイドのゲート・ドライバに給電するオンボードの絶縁型DC-DCコンバータ(最大絶縁5.4kVpk)
    • 駆動電圧構成のジャンパ選択が容易:+15V/0V; +15V/-4.7V; +12V/0V; +12V/-4.7V
    • LED障害インジケータ
    • 絶縁全体で1200Vの最高動作電圧
    • RoHS準拠

アプリケーション

  • 家電、ファクトリ・オートメーション、産業用ドライブ、ファン用モータ・ドライバ
  • 600/1200Vインバーター
  • バッテリ充電器
  • 誘導加熱
  • 溶接
  • 無停電電源装置(UPS)
  • 電源装置
  • DC/DCコンバータ
  • 力率補正
公開: 2026-06-02 | 更新済み: 2026-06-11