Vishay / Siliconix SiHR080N60E NチャンネルパワーMOSFET
Vishay/Siliconix SiHR080N60E NチャンネルパワーMOSFETは、 第4世代600V EシリーズパワーMOSFETで、PowerPAK® 8 x 8LRパッケージに収められています。MOSFETは、テレコム、工業、コンピューティングアプリケーションを対象に、さらなる高効率と電力密度を実現します。SiHR080N60Eは、10Vで0.074Ω という低標準オン抵抗および最低42nCまでの超低ゲート電荷が特徴です。その結果、その結果、伝導損失とスイッチング損失が減少し、電力システム >2kWのエネルギー節約と効率向上につながります。パッケージは、スイッチング効率の向上を目的としたKelvin接続も提供しています。Vishay/Siliconix SiHR080N60E は、アバランシェモードでの過電圧過渡に耐えるように設計されており、完全にUIS試験に保証された限界値を有しています。特徴
- 第4世代Eシリーズ技術
- 低性能指数(FOM)Ron x Qg
- 低効果容量(Co(er))
- スイッチング/伝導ロスの低減
- 上面冷却
- アバランシェ エネルギー定格(UIS)
- ガルウィング・リードが優れた温度サイクル性能を提供
- リードフリー、ハロゲンフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- サーバーおよびテレコム電源
- スイッチモード電源(SMPS)
- 力率補正(PFC)電源
- 照明
- 高輝度放電(HID)
- 蛍光バラスト照明
- 産業用
- 溶接
- 誘導加熱
- モータドライブ
- バッテリ充電器
- ソーラー(PVインバータ)
仕様
- 最大ドレイン-ソース間電圧:600V
- 最大ゲート-ソース間電圧:±30V
- VGS = 10Vでの最大連続ドレイン電流
- 51A(+25°C時)
- 32A(+100°C時)
- 最大パルスドレイン電流:96A
- 最大線形ディレーティング係数:4.0W/°C
- 最大シングル・パルス・アバランシェ・エネルギー:173mJ
- 最大電力損失:500W
- 100V/nsの最大ドレイン-ソース電圧スロープ(+125°C時)
- 最大逆ダイオードdv/dt:10V/ns
- 最大熱抵抗
- 接合部-周囲:42°C/W
- 接合部-ケース(ドレイン):0.25°C/W
- 動作接合部温度範囲:-55°C ~ +150°C
- PowerPAK 8 x 8LRパッケージ
寸法
公開: 2024-07-09
| 更新済み: 2024-07-12
