Vishay / Siliconix SiHR080N60E NチャンネルパワーMOSFET

Vishay/Siliconix  SiHR080N60E NチャンネルパワーMOSFETは、 第4世代600V EシリーズパワーMOSFETで、PowerPAK® 8 x 8LRパッケージに収められています。MOSFETは、テレコム、工業、コンピューティングアプリケーションを対象に、さらなる高効率と電力密度を実現します。SiHR080N60Eは、10Vで0.074Ω という低標準オン抵抗および最低42nCまでの超低ゲート電荷が特徴です。その結果、その結果、伝導損失とスイッチング損失が減少し、電力システム >2kWのエネルギー節約と効率向上につながります。パッケージは、スイッチング効率の向上を目的としたKelvin接続も提供しています。Vishay/Siliconix  SiHR080N60E は、アバランシェモードでの過電圧過渡に耐えるように設計されており、完全にUIS試験に保証された限界値を有しています。

特徴

  • 第4世代Eシリーズ技術
  • 低性能指数(FOM)Ron x Qg
  • 低効果容量(Co(er)
  • スイッチング/伝導ロスの低減
  • 上面冷却
  • アバランシェ エネルギー定格(UIS)
  • ガルウィング・リードが優れた温度サイクル性能を提供
  • リードフリー、ハロゲンフリー、RoHS準拠

アプリケーション

  • サーバーおよびテレコム電源
  • スイッチモード電源(SMPS)
  • 力率補正(PFC)電源
  • 照明
    • 高輝度放電(HID)
    • 蛍光バラスト照明
  • 産業用
    • 溶接
    • 誘導加熱
    • モータドライブ
    • バッテリ充電器
    • ソーラー(PVインバータ)

仕様

  • 最大ドレイン-ソース間電圧:600V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:±30V
  • VGS = 10Vでの最大連続ドレイン電流
    • 51A(+25°C時)
    • 32A(+100°C時)
  • 最大パルスドレイン電流:96A
  • 最大線形ディレーティング係数:4.0W/°C
  • 最大シングル・パルス・アバランシェ・エネルギー:173mJ
  • 最大電力損失:500W
  • 100V/nsの最大ドレイン-ソース電圧スロープ(+125°C時)
  • 最大逆ダイオードdv/dt:10V/ns
  • 最大熱抵抗
    • 接合部-周囲:42°C/W
    • 接合部-ケース(ドレイン):0.25°C/W
  • 動作接合部温度範囲:-55°C ~ +150°C
  • PowerPAK 8 x 8LRパッケージ

寸法

Vishay / Siliconix SiHR080N60E NチャンネルパワーMOSFET
公開: 2024-07-09 | 更新済み: 2024-07-12