Vishay / Siliconix TrenchFET Gen IV MOSFET
Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETは、PowerPAK® SO-8および1212-8Sパッケージで業界最低のオン抵抗と低総ゲート電荷を実現しています。このTrenchFET Gen IV MOSFETは、RDS(on)が極めて低く、電力損失を低減して消費電力を削減します。TrenchFET MOSFETは、同等の効率性を備え、サイズが3分の1の省スペースPowerPAK® 1212-8パッケージもご利用いただけます。代表的な用途には、ハイパワーDC/DCコンバータ、同期整流、ソーラーマイクロインバータ、モータドライブスイッチなどがあります。
TrenchFET MOSFETは、-200Vから800Vのブレークダウン電圧、1.2Vの幅広いゲートドライブ電圧など、幅広い先進パッケージのパワーMOSFETを揃えています。これらのMOSFETは、ロードスイッチ用途ではRds(on)を最小化し、高速スイッチング用途ではゲートチャージと静電容量を最小化するように最適化されています。MOSFETは、低電圧および中電圧のTrenchFETとで区別されています。
低電圧TrenchFETは、高効率、高出力密度、省スペースパッケージが特徴です。これらは、民生用電子機器、ドローン、コンピュータ、通信機器に最適です。
中電圧TrenchFETは、コンパクトで高効率なデバイスを搭載しており、レイアウトの最適化、部品点数の削減、最高の効率を実現します。これらは、電源、モータ駆動制御、再生可能エネルギーに最適です。
Vishay Siliconix SkyFET MOSFETも、Vishay Siliconix TrenchFET Gen IV Power MOSFETシリーズに属しています。
特徴
- DS(on)S=4.5V
- VGS=10Vで0.001Ωの超低RDS(on)
- CdV/dtゲートカップリング強化耐性
- 非常に低いQgdおよび極めて低いQgd/Qgs比：0.5未満
- 0.3までのQgd/Qgs 比
アプリケーション
- 同期整流
- 一次側スイッチ
- DC/DCコンバータ
- テレコム向けブリック
- パソコン
- サーバー
- アダプタと充電器のスイッチ
- 負荷スイッチ
- モータ駆動スイッチ
- 産業用
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低電圧パワーMOSFETインフォグラフ
中電圧パワーMOSFETインフォグラフ
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