STMicroelectronics EVLSTDRIVEG611ゲートドライバ評価ボード

STMicroelectronics EVLSTDRIVEG611ゲートドライバ評価ボードは、STDRIVEG611を搭載しており、これは高速度のハーフブリッジゲートドライバで、高電圧・強化モードのGaN HEMTを駆動するために最適化されています。STMicroelectronics EVLSTDRIVEG611ゲートドライバ評価ボードは、4x5mmのQFNパッケージでハードスイッチングトポロジーを完全にサポートします。特徴として、分離された高電流シンク/ソースゲートドライビングピン、統合されたLDO、低電圧保護、ブートストラップダイオード、スマートシャットダウンによる過電流保護、過熱保護、故障およびシャットダウンピン、さらにスタンバイモードを備えています。

EVLSTDRIVEG611ボードは使いやすく、5mm x 6mmのQFNパッケージに搭載された、75mΩ（標準）、650VのEMode GaNスイッチであるSGT120R65ALを駆動するSTDRIVEG611の特性評価を迅速に行うことができます。オンボードのプログラム可能なデッドタイムジェネレーターと、マイクロコントローラなどの外部ロジックに電力を供給する3.3Vのリニア電圧レギュレータを搭載しています。最終的なアプリケーションに合わせてボードをカスタマイズできるよう、LINおよびHINの入力信号や単一のPWM信号など、余分なフットプリントも提供されています。

STMicroelectronics EVLSTDRIVEG611は、56mm x 70mmのサイズで、2層の2 Oz FR-4基板を使用しています。静止空気中での熱抵抗は23°C/W R_{th（J‑A）}（各GaNに対して46°C/W相当）であり、高出力アプリケーションの評価に最適です。

特徴

統合LDO、分離されたシンク/ソース、過電流保護、統合されたブートストラップダイオード、スタンバイ機能を備えたSTDRIVEG611 GaNゲートドライバを特長としたハーフブリッジトポロジ
標準抵抗値：75mΩ（650V EモードHEMT GaNを搭載）
モータ制御アプリケーション向けに、調整可能なハードオンおよびハードオフのdV/dtを、標準に10V/nsに設定
V_CC 供給電圧：10.6V〜18V（標準12V）
オンボードの調整可能なデッドタイムジェネレーターにより、単一のPWM信号をデッドタイムを組み込んだ独立したハイサイドおよびローサイド入力に変換