STMicroelectronics GANSPIN612 ハーフブリッジ GaN モータードライバ

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics) の GANSPIN612 ハーフブリッジ GaN モータードライバは、最先端の高耐圧・高周波ゲートドライバによって駆動されるハーフブリッジ構成のエンハンスメントモード GaN トランジスタ 2 個を統合した、高度なシステム・イン・パッケージ（SiP）です。内蔵のパワーGaNは、270mΩ R_DS(ON)および650Vドレイン・ソース間降伏電圧を持ちます。加えて、内蔵のブートストラップ・ダイオードによって、ハイサイドのゲート・ドライバへ簡単に電源供給できます。

モーション制御向けに設計された GANSPIN612 は、ハードオン／ハードオフのいずれにおいても、出力 dV/dt を 10V/ns（代表値）に最適化しています。この機能は、EMI、モータ巻線、およびボールベアリングの信頼性確保のために、モーター制御において必要とされます。GANSPIN612 は、9mm × 9mm × 1mm のコンパクトな QFN パッケージで提供され、−40°C から +125°C の産業用温度範囲で動作します。

STMicroelectronics GaNSPIN612は、GaNSPIN611 [138mΩ R_DS(ON)] とピン互換性であるため、プラットフォーム・アプローチ内でのスケーラビリティを最大化できます。

特徴

高耐圧ゲートドライバとともに、ハーフブリッジ構成の高耐圧 GaN トランジスタを統合したパワー SiP ファミリ
- R_DS(ON) = 270mΩ
- I_DS(MAX) = 5.5A
逆導通能力とゼロ逆回復損失
ハードオンとハードオフの両方での10V/ns（標準）出力dV/dt、モータ制御用にカスタマイズ
高圧側および低圧側ドライバ供給電圧の安定化を図るリニアレギュレータ