GANSPIN612 ハーフブリッジ GaN モータードライバ

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics) の GANSPIN612 ハーフブリッジ GaN モータードライバは、最先端の高耐圧・高周波ゲートドライバによって駆動されるハーフブリッジ構成のエンハンスメントモード GaN トランジスタ 2 個を統合した、高度なシステム・イン・パッケージ（SiP）です。内蔵のパワーGaNは、270mΩ R_DS(ON)および650Vドレイン・ソース間降伏電圧を持ちます。加えて、内蔵のブートストラップ・ダイオードによって、ハイサイドのゲート・ドライバへ簡単に電源供給できます。