GANSPIN612 ハーフブリッジ GaN モータードライバ

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics) の GANSPIN612 ハーフブリッジ GaN モータードライバは、最先端の高耐圧・高周波ゲートドライバによって駆動されるハーフブリッジ構成のエンハンスメントモード GaN トランジスタ 2 個を統合した、高度なシステム・イン・パッケージ（SiP）です。内蔵されたパワーGaNは、270mΩのR_DS(ON) と650Vのドレイン・ソース間降伏電圧を備えており、ブートストラップダイオードが内蔵されているため、組み込まれたゲートドライバのハイサイドへ容易に供給を行うことができます。