STMicroelectronics 超低電力SPIページEEPROMソリューション
STMicroelectronics 超低電力SPIページEEPROMソリューションは、M95P08、M95P16、およびM95P32デバイスを含む、超低電力SPIページEEPROMの包括的なポートフォリオを提供します。これらのEEPROMは、高度な独自の不揮発性メモリテクノロジーを活用して、バイトの柔軟性、ページの変更可能性、高いサイクリング耐久性、効率的な消費電力を実現します。各デバイスは、512バイトのプログラム可能なページで構成され、高性能SPI、デュアル、クワッド出力でアクセス可能です。メモリ信頼性のためのECC、電子識別、ノイズフィルタリングのためのシュミットトリガ入力、堅牢な書き込み保護などの機能により、安全で信頼性の高い動作が保証されます。温度範囲の拡張、高速な読み書き消去サイクル、および多様なパッケージオプションを備えたこれらのSTMicroelectronics EEPROMは、ウェアラブル、産業用モノのインターネット(IIoT)、ヘルスケア、およびスマートメータリングアプリケーションに最適です。特徴
- 共通の特徴
- シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)をデュアルおよびクワッド出力でサポート
- 電源電圧範囲:広範な1.6V~3.6V
- 温度範囲:-40°C~+85°C(産業用)、および-40°C~+105°C(拡張)
- 高速読み取り動作 - 単一出力50MHz、デュアル/ クワッド出力80MHz(ダミーの1バイト付き)
- プログラム可能なページ:512バイト
- 独自のIDと安全なパラメータストレージのための2つの識別ページ
- 500kサイクルは、全温度範囲において書き込み耐久性あり
- データ保持期間:100年(500kサイクル後、10年)
- ディープパワーダウンおよびスタンバイモードでの超低消費電力
- 自己タイミングによる自動消去とプログラム操作を備えた高い書き込み/ 消去性能
- 高いメモリ信頼性のためのECC(DEC、TED)
- 雑音フィルタリング用のシュミットトリガ入力
- 出力バッファプログラマブル強度
- ISO26262の動作状態フラグ
- ソフトウェアリセット
- ブロック別書き込み保護(トップ/ボトムオプションあり)
- 電子識別とリクエストに応じた固有 ID
- SFDPモードとJEDEC標準製造元識別に対応
- ECOPACK2 ハロゲンフリーおよびRoHS準拠のパッケージオプション - DFN8、SO8N、WLCSP8
- 強化ESD保護
- 統合が簡素化し、部品表コストを削減
- 効率的なデータロギングや高速FirmWareアップロード/ ダウンロードを実現
- 機密性の高いアプリケーションパラメータの安全なストレージを提供
- 過酷な環境下での信頼性の高い動作を保証
- バッテリ駆動アプリケーションの消費電力を最小限に抑える
- 迅速なアプリケーション起動とダウンタイム低減をサポート
- 多様なユースケースに対応した柔軟なメモリ管理を実現
- M95P08の特徴
- メモリ密度:8Mbit
- 構成上、プログラム可能なページ:2048
- 64Kbyteブロック、4Kbyteセクタ
- (標準)ディープパワーダウンモード:0.6μA
- ページ/ ブロック/ セクタ/ チップ消去コマンド
- ESD保護強化(HBM)
- M95P16の特徴
- メモリ密度:16Mbit
- 構成上、プログラム可能なページ:4096
- 32Kbyteブロック、4Kbyteセクタ
- (標準)ディープパワーダウンモード:0.6μA
- (標準)チップ消去時間:8ms
- M95P32の特徴
- メモリ密度:32Mbit
- 構成上、プログラム可能なページ:4096
- 64Kbyteブロック、4Kbyteセクタ
- (標準)ディープパワーダウンモード:0.6μA
- 高速パワーアップとクワッド出力読み取りにより、アプリケーションの迅速なウェイクアップを実現
- (標準)チップ消去時間:15ms
- ESD保護(200V HBM、500V CDM)
アプリケーション
- モバイルとウェアラブルデバイス
- 資産追跡
- 埋め込み型医療機器
- IIoTモジュール
- 電子棚縁ラベル
- スマートメーター
- 5G光ファイバ・モジュール
- 効率の良いデータロギング
- 高密度なFirmWareストレージ
その他のリソース
- アプリケーションノート(AN5771)- ページEEPROMの消去、プログラム、および書き込み操作のタイミング
- アプリケーションノート(AN5808)- ページEEPROMのリセット手順
- アプリケーションノート(AN5747)- ページEEPROMのメモリアーキテクチャ
- アプリケーションノート(AN5866)- ページEEPROMのサイクリング耐久性やデータ保持に関するガイドライン
- アプリケーションノート(AN6076)- ページEEPROMファミリを使用してアプリケーションのエネルギー予算を低減する方法
- 技術ノート(TN1559)- シリアルNORフラッシュからページEEPROMへの移行に関するガイドライン
- 技術ノート(TN1355)- ページEEPROMのシリアルフラッシュ検出パラメータ
- 技術ノート(TN1397)- バッファ負荷使用時のページプログラム操作
ビデオ
ポートフォリオ
公開: 2026-03-23
| 更新済み: 2026-03-31
