STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9パワーMOSFET

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9パワーMOSFETは、ファストリカバリ・ダイオードとの組み合わせにより、単位面積当たりのR_DS(on)が非常に低い中 / 高電圧のMOSFETに適しています。本デバイスは、きわめて革新的なスーパージャンクションMDmesh DM9テクノロジーを採用しています。本テクノロジーは、マルチドレイン製造プロセスを活用することで、高度なデバイス構造を可能にしています。

STM STP60N043DM9 MDmesh DM9パワーMOSFETは、きわめて小さいリカバリ電荷(Q_rr)、時間(t_rr)、R_DS(on)を特徴としています。これらの機能は、最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジとZVS位相シフトコンバータを対象に、高速スイッチング・スーパージャンクション・パワーMOSFETをカスタマイズしています。