STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaNトランジスタ

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics)のSGT3D5R10MEB PowerGaNトランジスタは、極めて低い導通損失、大電流、超高速スイッチング動作を実現する100V、201Aのeモードトランジスタです。高いスイッチング周波数を特長とし、小型の受信部品と簡素化された熱管理によって、コンパクトで高電力密度の設計を実現します。SGT3D5R10MEBトランジスタは、R_DS（ON）ドレイン抵抗が標準2.7mΩで、接合部動作温度は-40°C〜+150°Cです。このPowerGaNトランジスタは、DC-DCコンバータ、モータドライバ、太陽光発電システムのMPPTに最適です。