STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ トランジスタ
STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics)PowerGaN E-Mode G-HEMT™トランジスタは、高性能、エンハンスメントモード（ノーマリーオフ）GaN デバイスで、要求の厳しい電力変換アプリケーションにおいて、非常に高速なスイッチング、低い導通損失、およびハイパワー密度を実現するように設計されています。これらのトランジスタは、窒化ガリウムの広帯域ギャップの利点を活用して、非常に低い静電容量、最小限のゲート充電、およびゼロの逆回復充電を実現し、従来のシリコンパワースイッチと比較して優れた効率性を発揮します。
STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics)PowerGaN E-Mode G-HEMT™トランジスタ高度な G-HEMT 構造と堅牢なパッケージングテクノロジーを組み合わせることで、大電流機能とウルトラ高速スイッチング動作をサポートし、熱特性の改善性能とシステムの小型化設計を促進します。主な特長としては、ゲート駆動を最適化するためのケルビンソースパッド、高電力管理、および強力なESD耐性があり、これらのトランジスタはAC-DCおよびDC-DCコンバータ、ソーラーインバータ、産業用電源、およびその他の周波数・高効率性システムに最適です。総じて、STのEモードPowerGaN製品群は、設計者に対し、より高い効率性、より小さなサイズ、そして強化された性能を備えた次世代パワー電子機器を構築するための強力なプラットフォームを提供します。
特徴
- 表面実装型エンハンスメントモード通常オフトランジスタ
- 非常に高いスイッチング速度
- 高電力管理機能
- 極めて低容量
- 逆回復電荷ゼロ
- 単チャンネル構成
- 最適なゲート駆動のためのケルビンソースパッド（特定パッケージに対応）
- ESD保護
- RoHS準拠
アプリケーション
- AC-DCコンバータ
- DC/DCコンバータ
- ソーラーインバータ
- タブレット、ノートPC、AIO用アダプタ
- USB Type-C® アダプタおよび急速充電器
仕様
- ゲート－ソース閾値電圧オプション：1.8Vまたは2.5V
- 650Vまたは700V のドレイン・ソース破壊電圧
- 6A～29A連続ドレイン電流範囲
- ドレイン-ソース抵抗範囲：65mΩ～350mΩ
- 47W~305W電力損失範囲
- ゲート電荷範囲：1.5nC～8.5nC
- 立ち上がり時間範囲 ：3.5ns～9ns
- 4ns ~ 9ns下降時間範囲
- 標準ターンオフ遅延時間範囲：1.2ns～7ns
- 標準ターンオン遅延時間範囲：0.9ns～10ns
- 動作温度範囲: -55°C～+150°C
- DPAK-3、PowerFLAT-4、PowerFLAT-8、TO-LL-11パッケージ・オプション
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