STMicroelectronics STGWA50IH65R 650V ソフトスイッチングIHR IGBT
STMicroelectronics STGWA50IH65R 650V ソフトスイッチングIHR IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) は、独自の高度なトレンチ・ゲート・フィールドストップ構造とモノリシック集積ボディ・ダイオードを使用して開発されています。STMicroelectronics STGWA50IH65Rは、ソフト転流における導通損失とスイッチング損失の両方に性能が最適化されています。TO-247ロング・リード・パッケージで提供されるこのIGBTは、共振アプリケーションやソフトスイッチング・アプリケーションにおいて、最大限の効率を発揮します。
特徴
- TO-247ロング・リード・パッケージで提供される650V / 50AソフトスイッチングIHRシリーズ逆導通IGBT
- ソフト転流向けに専用設計
- 最大動作温度：TJ = +175°C
- コレクタ・エミッタ飽和電圧 = 1.45V（Typ.）@ 連続コレクタ電流 = 50A
- テール電流を最小化
- 非常に小さいパラメータ分布のばらつき
- 低い熱抵抗
- 電圧降下を抑えたモノリシック集積ダイオード
- 正の温度係数を持つコレクタ・エミッタ間飽和電圧
- RoHS準拠
アプリケーション
- IH調理器
- 共振コンバータ
- マイクロ波オーブン
仕様
- のコレクタ・エミッタ間電圧：650V (Max.)
- 最大連続コレクタ電流
- 97A(+25°C時)
- 61A(+100°C時)
- 最大パルスコレクタ電流: 200A
- ゲート・エミッタ間電圧：±20V (Max.)
- 過渡ゲート・エミッタ間電圧：±30V (Max.)
- 最大連続順方向電流
- 86A(+25°C時)
- 52A(+100°C時)
- パルス順電流：200A (Max)
- 総消費電力：306W (Max.)
- 静的特性
- コレクタ・エミッタ降伏電圧：650V (Min.)
- コレクタ・エミッタ間飽和電圧：1.75V (Max.)
- 順方向オン電圧：1.75V (Max.)
- ゲート閾値電圧範囲 : 4.5V ~ 6.5V
- 最大コレクタ遮断電流：25µA (Max.)
- ゲート・エミッタ間リーク電流：±250nA (Max.)
- 標準的な動的特性
- 入力容量: 2,949pF
- 出力容量：102pF
- 逆転送静電容量：80pF
- 総ゲート電荷：154nC
- ゲート・エミッタ間電荷：23nC
- ゲート・コレクタ間電荷：77nC
- 標準的なIGBTスイッチング特性
- 誘導性負荷
- ターンオフ遅延時間範囲：177ns～208ns
- 電流立ち下がり時間範囲：38ns～75ns
- ターンオフ・スイッチング・エネルギー範囲：736μJ～1070μJ
- スナバ付き誘導負荷のターンオフ・スイッチング・エネルギー：474μJ～236μJ
- 誘導性負荷
- 接合部動作温度範囲：-55°C～+175°C
- 熱抵抗
- IGBTジャンクション・ケース間：0.49°C/W
- ダイオードのジャンクション・ケース間：0.7°C/W
- ダイオードのジャンクション・周囲間：50°C/W
回路図
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STMicroelectronics 標準製品
汎用アナログIC、ディスクリート、シリアルEEPROMのための幅広いドロップイン交換製品です。
公開: 2026-05-08
| 更新済み: 2026-05-12