TDK 電源回路用TFM-BLDインダクタ
TDK電源回路用TFM-BLDインダクタは、高い磁束飽和密度をもつ金属磁性材料を使用することで、良好なDCバイアス特性を実現しています。閉磁路構造の採用により、漏れ磁束が最小限に抑えられています。この薄膜インダクタは、2mm x 1.25mm X 0.8mmパッケージに収められています。このシリーズは、一般的なチップ部品と同様の製品形状、端子構造のため、実装の安定性に優れると同時に汎用性のあるランドパターンに実装することが可能です。TDK電源回路用TFM-BLDインダクタは、-40°C~+125°C(自己温度上昇を含む)の温度範囲で動作します。主なアプリケーションには、スマートフォン、タブレット端末、HDD、SSD、DVC、DSC、モバイルディスプレイパネル、携帯ゲーム機、小型電源モジュールがあります。特徴
- 高い磁束飽和密度をもつ金属磁性材料を使用することで、良好なDCバイアス特性を実現
- 一般的なチップ部品と同様の製品形状、端子構造による優れた実装の安定性
- 汎用性のあるランドパターンに実装可能
- 閉磁路構造の採用により、漏れ磁束を最小限に抑える
- サイズ: 2mm x 1.25mm x 0.8mm
- 動作温度範囲:-40°C~+125°C (自己温度上昇を含む)
アプリケーション
- スマートフォン
- タブレット端末
- HDD
- SSD
- DVC
- DSC
- モバイルディスプレイパネル
- 携帯ゲーム機
- 小型電源モジュール
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| 部品番号 | データシート | 説明 |
|---|---|---|
| TFM201208BLD-R33MTCA | ![]() |
パワーインダクタ - SMD 0.33uH 20% 32mOhm 5A |
| TFM160808BLD-R24MTCA | ![]() |
パワーインダクタ - SMD 240nH 3.4A 20% 33mOhm |
| TFM201208BLD-R11MTCA | ![]() |
パワーインダクタ - SMD 110nH 8.8A 20% 13mOhm |
公開: 2021-11-30
| 更新済み: 2023-05-23

