Texas Instruments 2N7002L 6V NチャネルMOSFET

テキサス・インスツルメンツ (Texas Instruments) 2N7002L 6V NチャネルMOSFETは、オン状態抵抗を最小限に抑えながら高速スイッチング性能を維持するよう設計されています。これらのMOSFETは、プラスチックパッケージに収められた低ゲートしきい値電圧および低入力容量を備えた電界効果トランジスタです。2N7002L Nチャネル MOSFETは、6Vのドレイン・ソース間電圧、7Vのゲート・ソース間電圧、1.4Aのソース電流、および1.43Aのパルスドレイン電流(tp = 1s時)を特徴としています。これらのMOSFETは-65°C〜150°Cの温度範囲で動作し、はんだ付け時にリード線は260°Cまでの熱温度に耐えることができます。代表的なアプリケーションには、パーソナル電子機器、ビルオートメーション、産業用オートメーションなどがあります。

特徴

  • 低オン抵抗
  • 低ゲート閾値電圧
  • 低入力容量
  • 高速スイッチング速度
  • ゲート・ソース間ESD定格:2kV

アプリケーション

  • パーソナル電子機器
  • ビルオートメーション
  • 産業用オートメーション

仕様

  • 6Vドレインソース間電圧
  • ゲート-ソース間電圧:7V
  • ドレイン電流:
    • 1.4A(TA = 25°C時)
    • 437mA(TA = 85°C時)
  • ソース電流:1.4A
  • パルスドレイン電流:1.43A(tp = 1s時)
  • はんだ付け用リード線耐熱温度:260°C
  • 動作時接合部および保存温度範囲:-65°C〜150°C

簡略ブロック図

ブロック図 - Texas Instruments 2N7002L 6V NチャネルMOSFET

2N7002Lを使用した代表的なアプリケーション例

アプリケーション回路図 - Texas Instruments 2N7002L 6V NチャネルMOSFET
公開: 2026-05-12 | 更新済み: 2026-05-18