DRV835xには、スマート・ゲート・ドライブ(SGD)アーキテクチャが採用されており、MOSFETスルー・レート制御と保護回路に通常必要になる外付け部品数を削減できます。また、SGDアーキテクチャによってデッド・タイムが最適化され、シュートスルー状態が回避され、MOSFETのスルーレート制御による電磁干渉(EMI)を低減する柔軟性が実現しており、VGSモニタを通してゲート短絡状態から保護します。強力なゲート・プルダウン回路は、イベントでの不要なdV/dt寄生ゲート・ターンの防止に役立ちます。
特徴
- 9V~100V、トリプル・ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
- 降圧レギュレータ内蔵(オプション)
- オプションのトリプル・ローサイド電流シャント・アンプ
- スマートゲートドライブアーキテクチャ
- EMI性能のための可変スルーレート制御
- VGSシュートスルーの回避を目的とした手振れと最小デッドタイム挿入
- 50mA~1Aのピークソース電流
- 100mA~2Aのピークシンク電流
- 強力なプルダウンによるdV/dt緩和
- ゲートドライバ電源を内蔵
- 100%PWMデューティ・サイクル制御のためのハイサイド・ダブラ充電ポンプ
- ローサイドのリニアレギュレータ
- 統合LM5008Aバック・レギュレータ
- 6V~95V動作電圧範囲
- 2.5V~75V、350mA出力機能
- 統合トリプル電流シャントアンプ
- 可変ゲイン(5、10、20、40V/V)
- 双方向または単方向のサポート
- 6x、3x、1x、および独立PWMモード
- 120°センサ動作をサポート
- SPIまたはハードウェアインターフェイスを利用可能
- スリープモード時の低消費電力(VVM = 48Vで20µA)
- 内蔵された保護機能
- VM低電圧誤動作防止(UVLO)
- ゲート駆動供給低電圧(GDUV)
- MOSFET VDS過電流保護(OCP)
- MOSFETシュートスルー防止
- ゲートドライバフォルト(GDF)
- 熱警告およびシャットダウン(OTW/OTSD)
- フォルト状況インジケータ(nFAULT)
アプリケーション
- 3相ブラシレスDC(BLDC)モータ・モジュール
- ファン、ブロワ、ポンプ
- 電動バイク、電動スクータ、Eモビリティ
- 電源および園芸用具、芝刈り機
- ドローン、ロボット工学、RC玩具
- ファクトリ・オートメーションと繊維機械
簡略図
公開: 2018-09-11
| 更新済み: 2023-07-21

