Texas Instruments FemtoFET パワーMOSFET

Texas Instruments FemtoFETパワーMOSFETは、超小型のフットプリント（0402ケースサイズ）で（他社製品よりも70%低い）極めて低い抵抗を達成します。これらのMOSFETには、超低Qg、Qgd仕様、最適化ESD定格が採用されています。ランドグリッドアレイ（LGA）パッケージにてご提供しています。このパッケージによりシリコン含有量が最大化されるため、スペースの限られた用途に最適となります。このパワーMOSFETは、低電力損失と低スイッチング損失を提供し、軽負荷性能を向上します。このデバイスの主な用途には、ハンドヘルド、モバイル、負荷スイッチ、汎用スイッチ、バッテリーなどがあります。