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Texas Instruments LM66100 ±6V低IQ最適ダイオード

Texas Instruments LM66100 ±6V低IQ最適ダイオードには、集積単入力・単出力（SISO）が搭載されており、多種多様なアプリケーションに最適です。LM66100には、入力電圧範囲1.5V～5.5Vで動作できるPチャンネルMOSFETが組み込まれており、最大連続電流1.5Aまでに対応できます。

2つのLM66100低IQ最適ダイオードは、デュアルダイオードORing実装と同様にORing構成で使用できます。この構成によってLM66100は、入力供給への逆電流を阻止しつつ、もっとも高レベルの入力電圧を出力に渡すことができます。LM66100最適ダイオードは、入力電圧と出力電圧を比較し、内部電圧コンパレータから逆電流を確実に阻止できます。

LM66100は、接合部温度範囲–40°C～125°Cで動作し、スタンダードのSC-70パッケージでご用意があります。

特徴

  • 広い動作電圧範囲: 1.5V – 5.5V
  • VINでの逆電圧スタンドオフ: –6V絶対最大
  • 最大連続電流（IMAX）: 1.5A
  • オン抵抗(RON) :
    • 5V VIN = 79mΩ（標準）
    • 3.6V VIN = 91mΩ（標準）
    • 1.8V VIN = 141mΩ（標準）
  • コンパレータチップイネーブル（CE）
  • チャンネル・ステータス表示（ST）
  • 低消費電流:
    • 3.6V VINシャットダウン電流（ISD、VIN）: 120nA（標準）
    • 3.6V VIN自己消費電流（IQ、VIN）: 150nA（標準）

アプリケーション

  • スマートメータ
  • ビルオートメーション
  • GPSと追跡
  • プライマリおよびバックアップバッテリ

その他の資料

機能図

ブロック図 - Texas Instruments LM66100 ±6V低IQ最適ダイオード

評価モジュール

Texas Instruments LM66100EVM評価モジュール

OR-ing構成を評価する2つの理想ダイオードLM66100が搭載された2層PCBです。

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公開: 2019-07-24 | 更新済み: 2023-10-09