Texas Instruments LMG2610 GaNハーフブリッジIC

Texas Instruments LMG2610 GaNハーフブリッジICは、スイッチモード電源アプリケーションで使用される < 75wのアクティブクランプフライバック(acf)コンバータ向けの650v="" ganパワーfetハーフブリッジです。lmg2610は、ゲートドライバ、ハーフブリッジパワーfet、ブートストラップダイオード、ハイサイドゲートドライブレベルシフタを9mm="" ×="" 7mmのqfnパッケージに統合することで、部品点数の削減、設計の簡素化、基板面積の縮小を実現しています。gan="" fetの非対称な抵抗値は、acf動作条件に合わせて最適化されています。プログラム可能なターンオン時のスルーレートにより、emiとリンギングの制御が可能になります。ローサイド電流検出エミュレーションにより、従来の電流検出抵抗器に比べて電力損失を低減できます。これにより、ローサイドのサーマルパッドを冷却用pcb電源グランドに接続できます。="">

ハイサイドゲートドライブ信号レベルシフタにより、外部ソリューションで見られるバーストモード電力損失とノイズの問題を解消できます。スマートスイッチ付きGaNブートストラップFETはハイサイド電源の過充電を回避でき、ダイオードの順方向電圧降下がなく、逆回復電荷がありません。Texas Instruments LMG2610は、低静止電流と高速起動時間により、バーストモード動作とコンバータの軽負荷効率要件に対応しています。保護機能には、FETターンオンインターロック、低電圧ロックアウト(UVLO)、サイクルごとの電流制限、過熱シャットダウンなどがあります。

特徴

  • 650V GaNパワーFETハーフブリッジ
  • 170mΩ ローサイドおよび248mΩ ハイサイドGaN FET
  • 伝搬遅延が小さく、ターンオン時のスルーレート制御を調整可能な内蔵ゲートドライバ
  • 高帯域幅、高精度の電流検出エミュレーション
  • ローサイド/ハイサイドゲートドライブインターロック
  • ハイサイドゲートドライブ信号レベルシフタ
  • スマートスイッチ付きブートストラップダイオード機能
  • ハイサイドの起動:8μs未満
  • ローサイド/ハイサイドのサイクルごとの過電流保護
  • FLTピン通知つき過熱保護
  • 240µA AUXアイドル自己消費電流
  • 50µA AUXスタンバイ自己消費電流
  • 60µA BSTアイドル自己消費電流
  • 26V最高供給および入力ロジックピン電圧
  • デュアル熱パッド付き9mm x 7mm QFNパッケージ

アプリケーション

  • アクティブクランプ・フライバック・パワーコンバータ
  • AC/DCアダプタと充電器
  • AC/DC USB壁コンセント電源
  • AC/DC補助電源

簡略ブロック図

ブロック図 - Texas Instruments LMG2610 GaNハーフブリッジIC
公開: 2023-02-16 | 更新済み: 2025-08-08