
Texas Instruments LMG2610 GaNハーフブリッジIC
Texas Instruments LMG2610GaNハーフブリッジICは、スイッチモード電源アプリケーションの<75Wアクティブクランプ フライバック(ACF)コンバータ用650V GaNパワーFETハーフブリッジです。LMG2610は、ゲートドライバ、ハーフブリッジパワーFET、ブートストラップダイオード、ハイサイドゲートドライブレベルシフタを9mm×7mmのQFNパッケージに統合することにより、部品数の削減、設計の簡素化、基板面積の削減を実現しています。GaN FETの非対称な抵抗値は、ACF動作条件に合わせて最適化されています。プログラム可能なターンオンスルーレートにより、EMIとリンギング制御を提供します。ローサイド電流検出エミュレーションにより、従来の電流検出抵抗器よりも電力損失を低減することができます。ローサイドのサーマルパッドを冷却用PCB電源グランドに接続することができます。ハイサイドのゲートドライブ信号レベルシフタにより、外付けソリューションに見られるバーストモードの電力損失とノイズの問題を解消できます。スマートスイッチ付きGaNブートストラップFETを使うと、ダイオードの順方向電圧降下がなく、ハイサイド電源を過充電せず、逆方向回復電荷がありません。 Texas Instruments LMG2610は、低い静止電流と高速の起動時間によって、バーストモード動作とコンバータの軽負荷効率要件をサポートします。保護機能として、FETターンオンインターロック、低電圧ロックアウト(UVLO)、サイクルごとの電流制限、過熱シャットダウンなどを備えています。
特徴
- 650V GaNパワーFETハーフブリッジ
- ローサイド170mΩおよびハイサイド248mΩのGaN FET
- 伝搬遅延が少なく、ターンオンスルーレート制御を調整できる内蔵ゲートドライバ
- 高帯域、高精度の電流センスエミュレーション
- ローサイド/ハイサイドゲートドライブインターロック
- ハイサイドゲートドライブ信号レベルシフタ
- スマートスイッチ付きブートストラップダイオード機能
- ハイサイドの起動:8μs未満
- ローサイド/ハイサイドのサイクルごとの過電流保護
- FLTピン通知付きの過熱保護
- AUXアイドル静止電流:240μA
- AUXスタンバイ静止電流:50μA
- BSTアイドル静止電流:60μA
- 電源および入力ロジックピン最大電圧:26V
- 9mmx7mmのQFNパッケージ、デュアルサーマルパッド付き
アプリケーション
- アクティブクランプフライバック電力コンバータ
- AC/DCアダプタ、充電器
- AC/DC USB壁コンセント電源
- AC/DC補助電源
簡略ブロック図

公開: 2023-02-16
| 更新済み: 2023-09-12