Texas Instruments LMG2610 GaNハーフブリッジIC

Texas Instruments LMG2610GaNハーフブリッジICは、スイッチモード電源アプリケーションの<75Wアクティブクランプ フライバック(ACF)コンバータ用650V GaNパワーFETハーフブリッジです。LMG2610は、ゲートドライバ、ハーフブリッジパワーFET、ブートストラップダイオード、ハイサイドゲートドライブレベルシフタを9mm×7mmのQFNパッケージに統合することにより、部品数の削減、設計の簡素化、基板面積の削減を実現しています。GaN FETの非対称な抵抗値は、ACF動作条件に合わせて最適化されています。プログラム可能なターンオンスルーレートにより、EMIとリンギング制御を提供します。ローサイド電流検出エミュレーションにより、従来の電流検出抵抗器よりも電力損失を低減することができます。ローサイドのサーマルパッドを冷却用PCB電源グランドに接続することができます。

ハイサイドのゲートドライブ信号レベルシフタにより、外付けソリューションに見られるバーストモードの電力損失とノイズの問題を解消できます。スマートスイッチ付きGaNブートストラップFETを使うと、ダイオードの順方向電圧降下がなく、ハイサイド電源を過充電せず、逆方向回復電荷がありません。 Texas Instruments LMG2610は、低い静止電流と高速の起動時間によって、バーストモード動作とコンバータの軽負荷効率要件をサポートします。保護機能として、FETターンオンインターロック、低電圧ロックアウト(UVLO)、サイクルごとの電流制限、過熱シャットダウンなどを備えています。

特徴

  • 650V GaNパワーFETハーフブリッジ
  • ローサイド170mΩおよびハイサイド248mΩのGaN FET
  • 伝搬遅延が少なく、ターンオンスルーレート制御を調整できる内蔵ゲートドライバ
  • 高帯域、高精度の電流センスエミュレーション
  • ローサイド/ハイサイドゲートドライブインターロック
  • ハイサイドゲートドライブ信号レベルシフタ
  • スマートスイッチ付きブートストラップダイオード機能
  • ハイサイドの起動:8μs未満
  • ローサイド/ハイサイドのサイクルごとの過電流保護
  • FLTピン通知付きの過熱保護
  • AUXアイドル静止電流:240μA
  • AUXスタンバイ静止電流:50μA
  • BSTアイドル静止電流:60μA
  • 電源および入力ロジックピン最大電圧:26V
  • 9mmx7mmのQFNパッケージ、デュアルサーマルパッド付き

アプリケーション

  • アクティブクランプフライバック電力コンバータ
  • AC/DCアダプタ、充電器
  • AC/DC USB壁コンセント電源
  • AC/DC補助電源

簡略ブロック図

ブロック図 - Texas Instruments LMG2610 GaNハーフブリッジIC
公開: 2023-02-16 | 更新済み: 2023-09-12