Texas Instruments LMG2656 650V GaNパワーFETハーフブリッジ

ハイサイドGaNパワーFETは、ローサイドリファレンスゲート駆動ピン(INH)またはハイサイドリファレンスゲート駆動ピン(GDH)のいずれかで制御できます。ハイサイドゲートドライブ信号レベルシフタは、厳しい電力スイッチング環境において、INHピン信号をハイサイドゲートドライバに確実に送信します。スマートスイッチGaNブートストラップFETには、ダイオード順方向電圧降下がなく、ハイサイド電源の過充電を回避し、ゼロ逆回復電荷があります。

テキサス・インスツルメンツ（Texas Instruments）LMG2656は、コンバータ軽負荷効率要件とバーストモード動作をサポートしており、自己消費電流が小さく高速起動時間が備わっています。保護機能として、FETターンオンインターロック、低電圧ロックアウト（UVLO）、サイクルごとの電流制限、過熱シャットダウンなどを備えています。超低スルーレート設定は、モータ駆動アプリケーションに対応しています。