Texas Instruments LMG3612シングルチャネル、GaN FET

Texas Instruments LMG3612シングルチャネルGaN FETは、スイッチモード電源アプリケーション向けに設計されたドライバを内蔵し、650Vドレイン・ソース電圧と120mΩのドレイン・ソース抵抗を提供します。このICは、 GaN FET、ゲート・ドライバ、および保護機能 を8mm x 5.3mm QFNパッケージに内蔵しています。LMG3612 GaN FETは、電力コンバータのスイッチングに必要な時間とエネルギーを削減する低出力容量性充電を特徴としています。このトランジスタの内部ゲート・ドライバは、GaN FETのオン抵抗を最適化するために駆動電圧を調整します。内部ゲート・ドライバは、総ゲート・インダクタンスとGaN FETコモンソース・インダクタンスを低減し、コモンモード過渡耐性(CMTI)を含むスイッチング性能を向上させます。LMG3612 GaN FETは、コンバータの軽負荷効率要件と、55µAの低自己消費電流と高速起動時間によるバーストモード動作に対応しています。