Texas Instruments SN74SSTA32866構成式レジスタバッファ
Texas Instruments SN74SSTUB32866構成式レジスタバッファは、25ビット1:1または14ビット1:2に調整され、1.7V〜1.9V VCC 動作用に設計されています。1:1ピン配列構成には、9つのSDRAM負荷を駆動するためにDIMMあたり1つのデバイスのみ必要ですが、1:2ピン配列構成には、18 SDRAM負荷を駆動するために、DIMMあたり2つのデバイスが必要です。
すべての入力は、LVCMOSのリセット（RESET）および制御（Cn）入力を除きSSTL_18です。すべての出力は、終端処理されていないDIMM負荷向けに最適化されたエッジ制御回路で、オープンドレイン誤差（QERR）出力を除きSSTL_18仕様に適合しています。TI SN74SSTUB32866構成式レジスタバッファは、差動クロック（CLKおよびCLK）から動作します。データはCLKの交差時に登録され、CLKは高くなります。
特徴
- Texas Instruments Widebus+™ファミリのメンバ
- DDR2 DIMM PCBレイアウトを最適化するピン配列
- 25ビット1:1または14ビット1:2レジスタバッファとして構成可能
- 状態変化からのデータ出力をゲート制御し、システムの消費電力を最小限に抑えるチップ選択入力
- 終端処理されていないラインでのスイッチングノイズを最小限に抑える出力エッジ制御回路
- SSTL_18データ入力をサポート
- 差動クロック（CLK、CLK）入力
- 制御およびRESET入力でのLVCMOSスイッチングレベルをサポート
- DIMM独立データ入力でパリティをチェック
- 2番目のSN74SSTA32866とのカスケード接続が可能
- 工業温度範囲（-40°C～85°C）をサポート
公開: 2020-12-21
| 更新済み: 2024-10-24