Toshiba SSM14N956L MOSFET

Toshiba SSM14N956L MOSFETは、低いソース-ソース間オン抵抗が特徴で、RoHSに準拠しています。SSM14N956L MOSFETはハロゲンフリーです。このMOSFETは、t ≦ 10sの条件で2.44Wを提供し、150°Cのチャネル温度と-55°C ~ 150°Cの保存温度範囲で動作します。RSS(ON) = 1.1mΩ (標準) (@VGS = 3.8V) およびRSS(ON) = 1mΩ (標準) (@VGS = 4.5V) の低いソース-ソース間オン抵抗となっています。このSSM14N956L MOSFETは、バッテリ保護回路での使用に最適です。

特徴

  • RoHS準拠
  • ハロゲンフリー
  • バッテリ保護回路に使用

仕様

  • 2.44W(t ≤ 10s)電力損失
  • 76nC ゲートチャージ
  • 12V ソース-ソース間電圧
  • 低ソース-ソース間オン抵抗
    • RSS(ON) = 1.1mΩ (標準) (@VGS = 3.8V)
    • RSS(ON) = 1mΩ (標準) (@VGS = 4.5V)
  • ±8V ゲート-ソース間電圧
  • 150°C チャンネル温度
  • 保存温度範囲:-55°C ~ 150°C

寸法図

機械図面 - Toshiba SSM14N956L MOSFET

等価回路図

Toshiba SSM14N956L MOSFET
公開: 2023-05-15 | 更新済み: 2023-06-09