Toshiba TPD2017FNローサイド・インテリジェント・パワースイッチ
Toshiba TPD2017FNローサイド・インテリジェント・パワースイッチは、ローサイド8チャンネルのスイッチアレイで、 集積型アクティブクランプ回路とNチャンネルMOSFETが搭載されており、モータ、ソレノイド、およびランプドライブに最適です。TPD2017FNは、CMOS、TTLロジック回路、またはマイクロコントローラから直接駆動し、電力負荷を駆動できます。このデバイスは、並列モードでの作動が可能で、過熱および過電流に対する内蔵保護が搭載されています。
Toshiba TPD2017FNローサイド・インテリジェント・パワースイッチは、SSOP30（300mil）パッケージで提供されており、動作温度範囲は-40°C～+110°Cです。
特徴
- 統合NチャンネルMOSFETおよびアクティブクランプ回路搭載の8チャンネル
- 電力負荷の直接駆動に対応
- 過熱および過電流に対する保護機能を内蔵
- 8チャンネルデバイスによって、省スペース設計が実現可能
- 低2.7V電圧作動に対応
- 低オン抵抗。0.55Ω @ VDD = 5V、IOUT = 0.5A、Tj = 25°C（チャンネル一つあたり）
- 並列作動に対応
- SSOP30（300mil）パッケージ
アプリケーション
- 産業用プログラマブルロジックコントローラ
- 抵抗性または誘導性負荷の駆動
仕様
- 2.7V〜5.5Vの動作電源電圧（VDD（opr））
- 1.8mAの電源電流（IDD（OFF））
- 3.1mAの電源電流、すべての出力オープン（IDD（ON））
- 10μAの出力リーク電流（IOL）
- 1.5Aの標準過電流保護（IOC）
- 3.0ms標準過電流保護 動作時間（tOFF-DUTY）
- 70°C/Wの熱抵抗（Rth（j-a））
- 温度超過 検出
- +175°Cの温度（TSD）
- +15°Cのヒステリシス（ΔTSD）
- 1.8Wの電力損失（PD）
- -40°C～+110°Cの動作温度範囲（Topr）
関連製品
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統合充電ポンプとNチャネルMOSFETが搭載されているハイサイド8チャネルスイッチアレイです。
ブロック図
試験回路
パッケージ外形
公開: 2022-08-19
| 更新済み: 2023-07-27